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本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在. 相似文献
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利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似 (GGA) 处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b _Eg (Γ)=4.32eV,b_Eg(X) =1.8eV,它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47;在小量B的掺入下,可使BxIn1-xP的带隙变小,在x=0.15时带隙达到最小值1.33eV.BxGa1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=1.37eV,b _Eg(X)=2.46eV,在整个组分内是间接带隙.BxIn1-x-P,BxGa1-xP有较大的带隙弯曲参数,是由于组成它们的二元系之间存在较大的晶格失配. 相似文献
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对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP/AlGaAs/GaAsHBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP/GaAsHBT的相应性能作了比较。结果表明:在低于30nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP/GaAsHBT相比,改进型结构的InGaP/AlGaAs/GaAsHBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏一安输出特性和高频特性。 相似文献
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基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能.计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管有较高的高频性能;对于发射区在下面与基区接触面积大导致较多的基区载流子复合而使器件的增益偏低问题,可以考虑掩埋侧边腐蚀工艺底切发射区的技术来减少发射区和基区的接触面积,从而减少复合改善器件的增益特性. 相似文献
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淮安市岩盐资源十分丰富,盐化工产业发展有一定基础。近年来,我市依托资源优势,盐化工新材料产业发展迅速,已形成了由盐化工、精细化工、石油化工、农用化工、日用化工、橡胶制品等门类组成的具有相当规模和特色的工业体系。 相似文献
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非球面光学系统的光路计算与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
针对非球面光学系统,讨论高次非球面光路计算问题,使用"辅助二次曲面"方法,很好地解决了非球面的光路计算问题,可直接应用于非球面光学系统的设计优化程序。 相似文献
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将农村金融“要素”引入生产函数,运用协整检验和格兰杰因果分析方法,实证1982~2009 年中国农业贷款、保险发展水平
与农产品出口、进口和进出口依存度的关系。结果显示:在长期关系上,农业贷款、保险及财政支农对农产品对外贸易均具正向影
响。在短期关系上,农业贷款对农产品进口和出口影响不明显,但抑制滞后二期的农产品进出口;农业保险对农产品出口和进出口
影响不明显,但抑制滞后二期的农产品进口。在因果关系上,农业贷款与农产品出口、进口和进出口均存在双向因果关系,且农业
贷款对农产品对外贸易极为重要;而农业保险与农产品对外贸易并不存在任何单向或双向因果关系。 相似文献
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用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层.1.2 μm InP(004)面X射线衍射(XRD) ω-2θ和ω扫描半高全宽(FWHM)分别为373 arcsec和455 arcsec,在外延层中插入10周期Ga0.1In0.9P/InP应变超晶格后,其半高全宽分别下降为338 arcsec和391 arcsec.透射电子显微镜(TEM)测试显示,应变超晶格有效地抑制了失配位错穿进外延层,表明晶体质量得到了较大提高. 相似文献