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1.
通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体. 相似文献
2.
系统研究了以Nafion112膜为电解质的氢传感器在不同工作环境下的氢敏感性能.结果表明,以Nafion112膜为电解质的氢传感器对氢具有很好的敏感性,可以实现微量氢气泄漏的快速检测.该传感器在氢气体积分数为(500~3000)×10-6时的响应电压与氢气体积分数的对数呈线性关系,为标定不同环境下氢气含量与传感器响应电压的对应关系提供了依据.在相同湿度条件下,传感器响应电压随温度的升高而下降.湿度对传感器响应电压的影响与温度相关:温度较低时,响应电压随湿度的增加而下降;温度较高时,响应电压随湿度的增加而升高. 相似文献
3.
4.
5.
6.
8.
9.
氢对不锈钢钝化膜破裂应力的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
用纳米力学探针测量了316不锈钢电解抛光以及抛光后阳极钝化试佯的载荷-压入位移曲线,并研究了氢的影响.结果表明,一旦表面存在氧化膜(电解抛光)或钝化膜(阳极钝化),在载荷-位移曲线上就会出现恒载荷平台;对氧化膜,平台载荷较小,对应膜的屈服;对钝化膜,平台载荷较大,对应膜的破裂.氢可降低钝化膜的平台载荷以及相同载荷下的压入位移,从而使得钝化膜的复合弹性模量Er和破裂应力σF都随试样中氢浓度Co的升高而下降,例如,Er(GPa)=100 82e^-0.01Co,σF(GPa)=1.59 2.93e^-0.010Co。 相似文献
10.