测量二次电子空间分布特征矩阵法的有效性分析

为了准确测量不同材料在实际环境中的二次电子空间分布，设计了一种新型的二次电子发射空间分布测量结构，给出了实验测量原理，用求解特征矩阵的方法对实验结果进行处理，得到了所需的二次电子空间分布。通过模拟计算对该测量方法进行了校验，模拟结果与假设二次电子空间分布函数相吻合，表明该测量方法可靠、测量精度高，为后续样机研制奠定了理论基础。     

CSNS四极陶瓷真空盒磁控溅射镀TiN膜研究

介绍了中国散裂中子源（CSNS）快循环同步加速器（RCS）中四极陶瓷真空盒内表面镀TiN膜技术与成膜系统装置。采用磁控溅射法,通过在绝缘体长直管道外表面安装金属屏幕罩来提供同轴电场的方法,解决了镀膜均匀性的问题。镀膜样品Ti、N比在0.9~1.1范围内,膜厚为100nm左右,附着力达到要求,总体满足设计指标,完成了CSNS四极陶瓷真空盒样机的镀膜。     

薄膜缺陷研究进展综述

在实际镀膜过程中,镀膜腔室内不可避免地会含有微米级的颗粒、灰尘,除此之外,衬底表面在加工过程中产生的缺陷、污染,即使经过清洗处理,往往也不能完全消除,甚至会带来新的缺陷、污染.阴极靶中的杂质、气泡以及微弧放电同样会产生颗粒物,这些因素将直接导致薄膜在生长过程形成缺陷.详细综述了薄膜缺陷的形成原因、分类以及对不同应用的影响.根据形成原因、微观形貌等,可将缺陷大致分为薄片形结构、凹坑结构、结节状球形滴锥结构、针孔/气孔结构等四种类型.不同类型缺陷在薄膜中的占比受环境因素变化而改变,在空间分布也有所不同.缺陷破坏了薄膜的完整性,对薄膜性能产生较大影响,如降低了硬质薄膜的耐摩擦性,腐蚀介质可通过缺陷达到基材表面,导致耐腐蚀薄膜丧失保护功能.对于超导薄膜,当缺陷尺寸远大于copper电子对相干长度时,剩余电阻大大增加.最后,总结了气压、偏压、电压、沉积时间、衬底安装角度、镀膜室屏蔽结构等对缺陷密度的影响,也说明通过优化以上参数与结构可以降低缺陷密度,改善薄膜质量.     

无油分子泵机组的组装

介绍了将ALCATEL公司生产的一台ATPl00涡轮分子泵、一台MDP50ll牵引分子泵及一台VRC公司生产的lBy6型干泵组装成无油分子泵机组的过程。文中给出了泵间配合的计算、机组方案的设计、连接管路、仪器支架的设计及选择。本机组所采取的设计方案使三个泵都最大限度地发挥了优点避免了缺陷，较好地满足了使用要求，为今后选购单泵和组装无油分子泵机组提供了可靠的理论和实验依据。     

中国散裂中子源强流质子加速器设计、研制及调试运行

中国散裂中子源（CSNS）是基于强流质子加速器的大科学装置,通过高功率质子束流轰击重金属靶产生高通量中子用于开展中子散射研究,CSNS是世界上第四台、发展中国家第一台脉冲型散裂中子源。CSNS包括高功率强流质子加速器、中子靶站和中子谱仪以及相应的配套设施等。加速器由80 MeV负氢直线加速器、1.6 GeV快循环同步加速器及相应的束流输运线组成。CSNS加速器是我国第一台中高能强流高功率质子加速器,本文将介绍CSNS加速器的设计、关键技术、设备研制以及束流调试过程和其中关键问题。     

1.3 GHz高频铜腔磁控溅射镀铌工艺研究北大核心CSCD

相比于纯铌超导高频腔,铜腔内壁镀铌超导腔具有对直流磁场不敏感、热稳定性高、造价成本低等一系列优点,并且铜腔镀铌工艺是铜腔表面制备Nb3Sn、NbN以及超导-绝缘-超导(SIS)复合膜的基础。因此使用直流磁控溅射法在铜基底高频腔内壁进行铌膜沉积,以探索铜腔镀铌工艺。并借助于FIB、SEM、XRD对铌膜的内部缺陷、表面形貌、晶相结构进行表征分析。研究结果显示:通过控制镀膜真空室的洁净、降低镀膜时间和放电气压,以及控制磁环的运动方式,获得了铜腔轴向分布均匀,Tc值达9.26 K,表面连续性较好的铌膜。铜镀铌腔垂直测试结果显示,腔性能在Q0>108下达到了5 MV/m,对应峰值磁场24 mT。该结果为后续进一步改善镀铌质量,提高镀膜超导腔性能,以及尝试在铜基底上进行其他超导材料(NbN、Nb3Sn)的镀膜奠定了良好的基础。     

常见放气率测试方法的量化比较北大核心CSCD

对材料放气率的准确测量至关重要,本文对自主设计出的转换气路(SPP)法测试装置进行了试用,装置重复性较好。将此方法与工程上常用的静态升压法、小孔流导法进行了数量上的直观比较,SPP法比小孔流导法、静态升压法测得的放气率更低。结合molflow模拟,实测值与模拟值相互验证,分析了误差来源,明确了提升方向。     

北京正负电子对撞机储存环真空系统运行和改进

目前BEPC储存环真空系统已经运行了十五年,系统运行良好,当有束流存在时,储存环的平均动态压强低于2.6×10-7Pa,束流寿命大于10 h。尽管真空系统部件多,结构复杂,但由于真空泄漏造成停机的次数并不多,大多数的泄漏能在抽真空和系统检漏期间排除。为了提高北京正负电子对撞机的性能,BEPC储存环真空系统进行了一系列的改进,例如,重新改造铝真空盒用来引出同步辐射光束线,在正负电子对撞区安装NEG泵来提高真空度。特别是真空内的扭摆磁铁被安装到储存环真空系统,通过在永久磁块表面镀氮化钛和合理的排气技术,静态压强已经达到了2.6×10-8Pa。     

BEPC对撞区真空系统改进

BEPC对撞区真空系统是储存环真空系统中最重要的部分之一,对撞区真空系统的性能直接影响着用于高能物理实验的谱仪探测器的本底,因此提高对撞区的真空度非常重要.本文提出了在靠近对撞点的附近安装NEG泵用于提高对撞区真空度的方案,并且用经典的数学计算方法和蒙特卡洛模拟计算方法预测了安装NEG泵的效果,同时在实验中证明了通过NEG泵改善对撞区真空度的可行性.通过对BEPC对撞区真空系统的改进,使BEPC对撞区静态压强由原来的8×10-8Pa下降到2.7×10-8Pa.     

BEPCⅡ储存环真空系统

本文首先描述了BEPCⅡ储存环真空系统的特点、主要参数和真空设备的总体布局。同时对储存环真空系统的关键设备真空盒、光子吸收器和RF屏蔽波纹管的设计原理、加工工艺以及实验方法进行了说明。另外还介绍了真空盒内表面镀TiN的实验装置以及被镀样品的测试结果。