1Cr18Ni9不锈钢阳极氧化膜的XPS研究

用XPS研究了1Cr18Ni9不锈钢表面氧化膜的组分与结构。实验表明膜中的Cr/Fe约为体内的3倍,并在组分和价态上具有不均匀的三层结构;表面层的主要成分为Cr,Fe的含氧氢氧化物;中间层的主要成分为Cr,Fe的氧化物;而过渡层则主要由金属状的Fe和少量Fe,Cr的氧化物组成。当阳极氧化膜用Na_2MoO_4溶液处理后,发现在整个氧化膜中都有Mo存在,其含置约为2%。表面层与中间层统称为阻挡层,它是不锈钢抗腐蚀的主要壁垒。过渡层介于阻挡层和基体之间,在这区域中有透过阻挡层进来的少量的氧存在。根据氧化膜中间层中Cr,Fe的氧化程度和过渡层中氧的含量与透入深度,讨论了阳极氧化膜与其它钝化膜(硝酸钝化膜和自然钝化膜)在抗腐蚀性能上差异的原因。     

近代物理技术在多相催化研究中的应用(Ⅱ)——第二章 低能电子衍射及其在催化研究中的应用

<正> 一、引言固体表面的原子排列结构和吸附物在表面上的吸附位置和分布,是了解有关多相催化作用的基础。低能电子衍射(Low Energy Electron Diffraction,简称LEED)是目前使用最多的测定固体表面结构的方法。电子衍射现象是本世纪20年代发现的。1924年de Broglie 提出了粒子具有波动性质的假设。1925年     

纳米铜粉润滑油添加剂

纳米铜粉润滑油添加剂是主要用于各种车辆发动机的一种新型润滑油添加剂．是传统产品的替代品．产品已经通过国家专业机构鉴定。具有修复功能，可减少汽车发动机磨损80％，降低汽车的养护成本：具有高效率的散热功能，可防止机件过热；提高功率输出，增强发动机动力；节省燃油达4％．降低汽车使用成本：     

铁表面磷酸化层的XPS分析

以磷酸为主要成份的除锈抗蚀剂广泛用于钢铁表面处理.经适当的磷酸混合液浸、喷或涂刷后的铁表面对漆和树脂的附着性能良好,所形成的表面磷酸化层能增强材料的耐腐蚀性和耐磨损性. 现代表面分析技术,其中特别是俄歇电子谱(AES)和X射线光电子谱(XPS),在腐蚀科学研究中已表明是分析表面抗腐蚀层的有效工具.本文报导用XPS方法分析铁表面磷酸化层的结果,阐明磷酸化层的成分和磷酸混合液与铁表面间的作用. 一、实验锉除锡、锌镀层的马口铁或白铁片,用金相砂纸抛光后,在无水乙醇中超声清洗,晾干后进行磷酸化处理.所用磷酸化液的成份列于表1.新配制的磷酸化液呈淡红色,     

铝及铝合金表面铬酸盐转化膜的组成和结构研究——Ⅰ.离子束分析、X光电子能谱和俄歇电子能谱测试

本文报道了用离子束分析(RBS和ERD方法)、X光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)测试方法对铝及铝合金不同基材表面经不同铬酸处理液处理所得的铬酸盐转化膜测定分析的结果。转化膜主要由三价铬化合物CrOOH·nH_2O组成,六价铬只存在于转化膜的表面层。转化膜中含有少量氟及铝化合物,在含有[Fe(CN)_6]~(3-)的铬酸处理液所得的转化膜中还含有铁氰化物。     

晶体表面的低能电子衍射(LEED)图集

本文汇集了各种正方、长方和六角二维晶胞的LEED图样,使实验工作者可以极为方便地对照此图集来确定实验所观察的晶体的表面结构。     

原子级表面加工和nm级器件制造中STM的应用

本文评述了用扫描隧道电子显傲镜(STM)进行nm级表面加工的方法,现状和应用展望。用STM进行表面微细加工的方法主要有两类:一类是在STM的针尖上加电压脉冲,使针尖下的表面形成点、线或规定的图形符号;另一类是通过STM的电子束引起适当的化学反应,在针尖下的表面上淀积金属点、线。近年来已用第一类方法在Si(110)和Si(001)表面上直接写入了点的阵列,其写入密度在STM的扫描面积10×10μm~2上超过10~6。利用有机金属化合物气体在STM的针尖和表面间分解,在Si表面上淀积的金属点、线,相应的直径和线宽约25nm。将STM与固体器件工艺技术结合,已制得尺寸长2μm、宽120nm的Au-Pd合金薄膜电阻,其室温电阻值为2.5K。STM在上述领域中的应用是:修补或制造集成电路的掩模或电路;开发高密度数据存贮器;进一步缩小现有器件的尺寸,提高器件集成度;以及设计和制造以量子尺寸效应为作用基础的新器件。     

Ag-Pd合金表面的择优溅射

用XPS方法研究了Ag-Pd合金在氩离子轰击下表面组成的变化。结果表明,由于Ag-Pd表面原子间结合能不同,合金在热退火后表面富Ag,经氩离子轰击后表面富Pd。将合金表面的Ag-Pd溅射产额比与相应的文献结果作了比较。在本文的实验条件下,合金组分间的相对溅射产额随合金成分变化,与氩离子轰击合金形成表面无序层有关。含Pd量为0.32at.-％的稀Pd合金的溅射结果表明,其组分的溅射产额比与含Pd量较多时的结果有明显差别。     

多层多孔硅的SPM研究

多层我孔硅是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构,我们用ＡＦＭ对多层多孔硅结构的侧向解理的截面进行观测,得到了不同多孔度层及其界面处的图像。发现不同周期中相同条件下腐蚀得到的多孔硅层,其层厚随周期的不同而不同,从而限制了多孔硅发光峰半宽的缩小,对多层我孔硅的电化学同理作了初步的探讨。     

Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究

在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面．在Si（100）晶片上用离子束溅射淀积Co／Ti双层膜，经退火处理完成三元固相反应，生成TiN／CoSi2／Si膜，然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜．AES，XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si（100）衬底的外延生长膜．STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整，主要由交替出现的平台和台阶结构组成．平台的平均宽度为9nm，台阶高度为2个原子层厚度，分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离（100）面引起的．平台表面呈平行台阶方向的相距约1．1nm的条状结构．