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1.
针对我国陶瓷高速砂轮特别是粗粒度高速砂轮回转强度不稳定的问题,本文主要对粘土—钾长石—硼玻璃、粘土—钾/钠长石—硼玻璃、粘土—钾长石—钙玻璃、粘土—钾长石—锂辉石等系统的结合剂进行研究。在现行的同一工艺条件下,用白刚玉WA46#磨料90%、陶瓷结合剂10%制备成磨具进行陶瓷结合剂的性能比较,对结合剂中不同成份对砂轮强度的影响进行了探讨,以找到一种既能满足现行生产工艺,又能提高粗粒度陶瓷高速砂轮回转强度的陶瓷结合剂。研究结果表明:在常用的粘土一钾长石~硼玻璃系统中引入钠长石,当钠长石达到适当比例(2l%),所制备的结合剂生产的陶瓷砂轮回转强度提高,且与现行生产工艺匹配,工艺性能稳定,有望成为改进陶瓷结合剂的一种新的途径。  相似文献   
2.
通过采集不同结合剂和磨料粒度的陶瓷砂轮的声学信号进行对比,试图探讨不同陶瓷砂轮声学特性上的反应。实验结果表明:随着陶瓷砂轮结合剂或粒度的改变,其声波的频幅图和相位图都会发生变化,经过快速傅里叶变换和小波变换处理后的声波的频幅图简单、特征明显。若应用大数据的处理方法,采用声波特性来对砂轮性能进行全面表征是可行的。  相似文献   
3.
高频感应钎焊钎料、钎剂对PCD刀具焊接性能的影响   总被引:3,自引:1,他引:2  
针对PCD刀具的金刚石层易石墨化、硬质合金基底难以被钎料润湿的缺陷 ,通过钎焊试验 ,分析了温度、钎料和钎剂对PCD刀具焊接性能的影响 ,提出了PCD与硬质合金或碳钢对接时母材与钎料、钎剂的优化搭配方案  相似文献   
4.
碳化硅磨料在陶瓷磨具中的氧化性能对碳化硅细粒度陶瓷磨具的黑心有直接的影响,也是行业一直关注的问题;本文通过试验、结合化学动力学计算和扫描电镜分析,对碳化硅磨料在陶瓷磨具中的氧化性能进行了初步的研究。试验的计算结果表明:碳化硅磨料在现行的烧成制度下,氧化反应是不可避免的,氧化产物SiO2也不会在SiC磨料表面形成致密保护层;碳化硅磨具产生黑心原因关键在于陶瓷结合剂的性质。陶瓷结合剂的完全烧结温度若略高于烧成温度或能始终保持结合剂的适当开口气孔率,就可能避免产品黑心的产生。  相似文献   
5.
研究了不同烧成气氛(氧化气氛、H2)、MoSi2粉体的纯度、粒度对硅钼棒表面成膜性能和抗弯强度的影响.研究结果表明:硅钼棒在氧化气氛中烧结时,在生膜的初级阶段,随着生膜时间的延长,样品的抗弯强度逐渐升高,到一定时间后,抗弯强度就逐渐稳定下来;生膜温度越高,产品达到抗弯强度稳定值所需的时间越短,对不同的烧成气氛、MoSi2粒度,生膜对抗弯强度的影响亦不相同,MoSi2粉体粒度越细,生膜后所达到的抗弯强度也越高.  相似文献   
6.
不同产地粘土热性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对上刘庄(土门掌)、外围料、龙洞等不同产地粘土的化学成分分析、物相分析、差热分析和热膨胀特性分析,对不同产地粘土的热性能与物相组成的关系进行了探讨,发现粘土中水铝石含量对陶瓷结合剂强度有重要影响,与含量的关系十分密切.对于陶瓷磨具来说,进入烧成带后,粘土的热膨胀系数越大,强度越小.  相似文献   
7.
传统地图为二维地图,三维地图建立比较困难,特别是自然界实物三维地图,尺寸变换规则度不高。为克服自然界实物三维地图信息建立比较困难的问题,以自然界洞穴为例,提出了通过国产北斗导航系统进行地理位置信息采集,同时利用激光测距仪进行断面形状尺寸信息采集,利用机械类三维绘图软件SolidWorks建立洞穴三维地图模型的方法。首先建立了河南省郑州市某地洞穴的三维地图模型,然后以地图模型及场景对比分析验证了方法的合理性、正确性,为后期其他自然界实物三维地图的建立提供了参考。  相似文献   
8.
界面结构对PDC抗冲击性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文采用重陀倾斜式方法测试了不同界面结构的PDC的抗冲击韧性,并对PDC冲击破坏机理进行了讨论,对界面结构以及其它因素对PDC抗冲击性能的影响进行了探讨和研究.结果表明:重陀倾斜式方法能够较好地反应PDC钻头工作时的实际受力情况;在同一工艺参数下,PDC层与硬质合金基体之间的界面结构对PDC的抗冲击性能影响很大;随着界...  相似文献   
9.
聚晶金刚石复合片无损检测方法的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文在分析聚晶金刚石复合片(PDC)无损检测技术(NDT)的基础上,针对POC复合片的主要缺陷,探讨了利用便携式超声波探伤仪对PDC进行无损检测的可能性。得出了实验条件下PDC分层、裂纹缺陷的超声波测试波形图和主要技术参数如下。工作方式:单探头(单一发射,强度不变);检波方式:双波;频段:中等;声压:2dB。扫描量程:10mm;脉冲移动位置:8.82mm。实验结果表明:本方法对PDC的分层、裂纹等缺陷有明显的特征反应。  相似文献   
10.
碳化硅微粉应用新领域--半导体线切割   总被引:4,自引:0,他引:4  
碳化硅是传统的磨料磨具材料。在材料磨削加工领域得到了广泛的应用。本主要介绍碳化硅微粉新的应用领域——半导体线切割.主要用于切割各种尺寸的半导体硅单晶材料。  相似文献   
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