基于改进随机森林的Android广告应用静态检测方法北大核心CSCD

Android广告应用对用户正常使用Android手机构成了威胁,传统的广告应用检测方法时间成本高且受限于动态特征,难以满足大规模、高精度的检测需求。为解决此问题,文章提出一种基于改进随机森林的Android广告应用静态检测方法。首先,基于广告应用的特点,文章在传统的应用程序编程接口、权限、意图的基础上,将第三方库纳入特征选择的范围;对数据集中的广告软件的APK提取静态信息进行统计学分析,筛选后确定基准特征集合,将APK特征向量化;然后基于集成思想,利用多种特征选择算法共同选择用于模型训练的特征并赋予特征权重;最后使用基于特征权重的改进随机森林算法提高分类器的性能。实验选取了5751个广告应用和3465个非广告应用进行分类检测,实验结果表明,该方法能在保证准确率的情况下,具有较快的检测速度。     

基于聚二甲基硅氧烷制备超疏水表面的研究进展

聚二甲基硅氧烷(PDMS),作为一种价格低廉、环境友好的有机硅材料,被广泛作为超疏水修饰剂来使用,并利用其与固化剂混合后可固化成型的特点,用于构建表面结构.综述了PDMS在制备超疏水材料上的研究进展,并对其今后的发展做出了展望.     

助磨剂对粉磨水泥性能的影响研究

试验对比研究了几种不同厂家助磨剂对水泥性能的影响,在助磨剂最佳掺量下,对比研究了助磨剂对粉磨水泥的激光粒径分布、比表面积、筛余量、标准稠度、凝结时间、净浆流动度和强度的影响。试验结果表明,掺加助磨剂有利于改善水泥颗粒的粉磨性能,增大3μm～32μm颗粒的含量,改善工作性能,早期强度增大比较明显,后期强度影响相对较小。     

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 利用MeVVA离子源技术对阴极磁过滤真空弧沉积的TiAlN薄膜进行了不同注入剂量的Nb及Nb+C离子注入。采用EDS、TEM、GIXRD、显微硬度等测试方法研究了离子注入剂量对于薄膜微观结构和性能的影响。结果表明,注入剂量为Nb5×1017 ions/cm2+C5×1017 ions/cm2时,Nb在TiAlN薄膜内的注入投影射程为130nm;在薄膜表层形成厚度约50nm的非晶与纳米晶的复合结构;在次表层,晶粒发生局部扭曲变形。随着离子注入剂量的增加,薄膜与基底的复合硬度由HV1900增加到HV3000,在高剂量离子注入条件下,薄膜的硬度提升更为显著。     

温度对土壤吸附五氯苯酚的影响

通过静态吸附实验,研究了不同温度下,五氯苯酚在不同土壤中的吸附行为。结果表明,用Freundlich和Langmuir等温吸附方程式对五氯苯酚在两种土壤中的吸附拟合效果较好,相关系数均在0.99以上;两种土壤的吸附能力为:黄土>沙土;温度的升高不利于五氯苯酚在土壤中的吸附。     

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 本文研究了Mo、Co、Nb等元素离子注入及薄膜沉积方法对TiN薄膜性能的影响。采用SRV磨损实验、表面形貌轮廓等方法研究分析了离子注入对TiN薄膜的摩擦系数、耐磨性能、显微硬度的影响规律。实验结果表明：磁过滤电弧镀的TiN薄膜的摩擦系数曲线与常规电弧镀TiN薄膜的摩擦系数曲线相差很大,且耐磨性能优于电弧镀TiN薄膜。采用离子注入可降低TiN薄膜的摩擦系数。在5N载荷磨损条件下,随注入剂量和注入元素的不同其摩擦系数变化较大。在30N载荷磨损条件下,样品摩擦系数均接近0.5。离子注入Mo、Co、Nb均可显著提高TiN薄膜的耐磨性,其中注入Mo的试样耐磨性最好。     

钛合金材料页轮磨抛材料去除深度模型

针对钛合金材料页轮磨抛表面去除量难控制的问题,从页轮磨抛的运动过程出发,结合Preston方程、Hertz接触理论及线接触变形等理论方法,建立页轮磨抛的材料去除深度模型。首先,分析磨削过程中页轮的运动和材料去除过程,并通过Preston方程简化磨抛过程,得到材料去除深度与页轮的线速度、接触压强、进给速度之间的关系;其次,通过Hertz接触理论及线接触变形得到接触压强和预压量的关系式,再将预压量代入接触压强,构建材料去除深度理论模型;最后,采用正交试验法和单因素试验法验证该理论模型的准确性,并通过极差分析法分析各参数对页轮磨抛去除深度的影响程度。结果表明:材料去除深度与预压量和页轮线速度成正比,与页轮进给速度成反比,且各参数对页轮磨抛去除深度的影响程度基本相当。模型预测的材料去除深度与试验结果的平均相对误差为6.25%,说明理论模型可准确预测磨削去除深度。      

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 利用磁过滤阴极电弧镀分别在硬质合金和高速钢基体上沉积厚度约2～3μm的TiN薄膜,并用MEVVA源离子注入装置对TiN薄膜注入金属离子V+和Nb+。应用北京同步辐射装置（BSRF）的同步辐射光源,采用掠入射X射线衍射（GIXRD）的方法对TiN薄膜表面离子注入层的微观结构进行了分析研究。结果表明：未经过离子注入的TiN薄膜均存在特定方向的择优取向,而较小剂量(1×10ˇ17ions/cm2)的离子注入可以使晶粒细化、择优取向减弱或改变;当离子注入的剂量达到5×10ˇ17ions/cm2时,TiN薄膜表面离子注入层被非晶化。结合透射电镜的研究结果,观察到TiN薄膜表面非晶层的厚度约为50～100nm,并简要地讨论了离子注入过程对微观结构的影响机制。