MIG填丝增材制造工艺对熔覆层成形的影响

利用MIG填丝增材制造方法在304不锈钢基体表面原位增材304不锈钢焊丝获得熔覆层,并系统地研究了热输入、电弧长度和填丝角度对熔覆层几何形状参数的影响规律。结果表明,随热输入的增大,熔深、熔宽和余高均增大;随弧长的增大,熔宽和余高增大,而熔深变化不大;随着填丝角度的增大,熔宽增大,而熔深和余高变化不显著。显微组织分析表明,熔覆层下部、中部、上部均以树枝晶为主。     

“三位一体”视域下高校新媒体党史育人创新策略与实践研究

目前,高校新媒体党史育人存在缺乏内容亮点、缺乏用户黏性、缺乏规范化管理与培训、多组织新媒体平台“各自为政”等问题,导致实际效果不甚理想。采用“横向+纵向”的研究策略,探索基于阵地、文化、管理三位一体的校园新媒体网络平台系统化育人策略与路径,分析总结出高校新媒体党史育人的三大关键点：阵地建设、文化浸润、管理护航。为弘扬爱党爱国主旋律、巩固立德树人网络思想阵地、规范学生组织管理与人才培养提供有益参考。     

中小学建筑抗震设防情况的抽样调查与分析

配合全国中小学校舍安全工程的实施,抽样调查了8 km2范围内中小学建筑(包括幼儿园、特殊学校等),共64个校区368个单体,总建筑面积约47万m2.通过调阅现存的土建资料和现场实地勘察房屋,按照一级抗震鉴定的条文要求对房屋的主要抗震设防指标进行复核,逐栋建立档案为后面的工作提供基础资料.调查结论分为暂缓检测鉴定、检测鉴定价值不大和建议进一步检测鉴定三类.暂缓进行检测鉴定的房屋情况相对较好,检测鉴定工作可廷后开展;检测鉴定价值不大的房屋结构状况很差,估算其加固改造费用较高,后期工作的价值不大;需要进一步检测鉴定的房屋整体状况尚可,但其某些指标不满足相关要求或不详.应尽早开展检测震鉴定和加固改造.暂缓检测鉴定、检测鉴定价值不大和建议进一步检测鉴定等三类房屋的面积比分别为32.6%,6.2%和61.2%.结合2008年汶川地震的震害资料,对被调查房屋的主要抗震设防缺陷情况进行了汇总分析,并据此提出了一些建议.     

多层框架结构坡屋面建模的实例分析

近年来,随着坡屋面越来越多的应用于各种建筑中．对于结构设计中坡屋面的精确建模也成为一个值得探讨的问题。本文选取了某典型多层框架结构的四坡屋面,采用satwe计算中坡屋面常用的两种建模方式进行结构设计分析,并通过与较为真实的有限元分析软件计算结果的比较研究,为框架结构坡屋面建模提供了一定的参考和建议。     

孕早期母体接受七氟醚麻醉对SD大鼠子代学习记忆功能的影响

目的研究孕早期母体接受七氟醚吸入麻醉对SD大鼠子代学习记忆功能的影响。方法将30只孕5~7 d SD大鼠按随机数字表法分为七氟醚麻醉1组（S1组）、七氟醚麻醉2组（S2组）和对照组（C组）,每组10只。S1组和S2组分别于孕5~7 d吸入1.8%七氟醚4、8 h,C组则给予相同流量的氧气。在子鼠出生后20、30 d用Morris水迷宫实验对各组子鼠学习记忆功能进行测定。结果出生后20、30 d,S1组和S2组子鼠逃避潜伏期、第二象限活动期和穿越平台次数与C组相比差异均无统计学意义（P〉0.05）。结论在本实验条件下,孕早期母体接受1.8%七氟醚麻醉对SD大鼠子代的学习记忆功能无明显影响。     

核电站冷凝泵首级叶轮与导流壳内流瞬态特性

为研究核电站冷凝泵首级叶轮与导流壳内流瞬态特性，建立叶轮与导流壳的水体模型并进行了数值模拟，得到不同工况下扬程波动的曲线、叶轮受到的径向力矢量分布以及设计工况下叶轮与导流壳内压力脉动的时域和频域特性。计算结果表明：大流量下的扬程振幅略高于小流量下的扬程振幅,当叶片出口掠经隔舌处时，扬程达到谷值，当叶片出口逐渐远离隔舌时，扬程达到峰值；从叶轮进口向叶轮出口压力脉动幅值递增；叶轮出口处，从叶片工作面向叶片背面压力脉动幅值递减，导流壳内部压力脉动主频接近叶频，导流壳隔舌附近的压力脉动振幅较大；叶轮在设计工况下径向力平均绝对值较小，且其指向大致与导流壳隔舌呈90°，当偏离设计工况时径向力产生明显的偏向。     

基于异构忆阻器的1T2M多值存储交叉阵列设计

忆阻器作为一种新型电子元件,具有尺寸小、读写速度快、非易失性和易于与CMOS电路兼容等特性,是实现非易失性存储器最具发展前景的技术之一.但是已有的多值存储交叉阵列存在电路结构复杂、漏电流和存储密度低等问题,影响了多值存储交叉阵列的实用性.该文提出一种基于异构忆阻器的多值存储交叉阵列,其中存储单元由1个MOS管和两个具有不同阈值电压和Ron阻值的异构忆阻器构成(1T2M),可实现单个电压信号完成4值读写的操作,减少电流通路的同时简化了电路结构.通过PSpice进行仿真验证,表明所提出的1T2M多值存储器交叉阵列与已有工作相比,电路结构更简单,读写速度更快,并较好地克服了漏电流问题.     

基于异构忆阻器的1T2M多值存储交叉阵列设计

忆阻器作为一种新型电子元件,具有尺寸小、读写速度快、非易失性和易于与CMOS电路兼容等特性,是实现非易失性存储器最具发展前景的技术之一。但是已有的多值存储交叉阵列存在电路结构复杂、漏电流和存储密度低等问题,影响了多值存储交叉阵列的实用性。该文提出一种基于异构忆阻器的多值存储交叉阵列,其中存储单元由1个MOS管和两个具有不同阈值电压和R_on阻值的异构忆阻器构成(1T2M),可实现单个电压信号完成4值读写的操作,减少电流通路的同时简化了电路结构。通过PSpice进行仿真验证,表明所提出的1T2M多值存储器交叉阵列与已有工作相比,电路结构更简单,读写速度更快,并较好地克服了漏电流问题。