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介质阻挡放电等离子体及其在材料制备中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介质阻挡放电等离子体(Dielectric barrier discharge plasma,DBDP)是一种在大气压下即可发生的低温等离子体,具有电子浓度大、电子平均能量高的特点,因此,DBDP应用在材料制备中具有独特的优势.综述了DBDP的发展历史、产生机理和基本特征、放电参数及其影响等,重点介绍了DBDP在臭氧发生、有机物合成、薄膜制备、材料表面改性、高能球磨等领域的应用,分析了研究中存在的主要问题及相应的解决方法,以期为相关领域的研究提供参考. 相似文献
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原位合成金属基复合材料 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了原位合成金属基复合材料的研究现状、制备方法。 相似文献
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设计了一套材料表面改性试验装置,对其放电特性以及由丝状放电向准辉光放电转变的条件进行了试验。利用发射光谱技术和电压电流测试技术,研究了常温常压下空气介质阻挡放电所加电压和输入能量对N2(C^3Πu→B^3g)发射光谱强度的影响。N2(C^3Πu→B^3Πg)的发射光谱强度随放电电压及输入能量的增加而增强,当电压(频率)和输入能量增大某一值后,N2(C^3Πu→B^3g)的发射光谱强度增强速率变大,介质阻挡放电从丝状放电过渡到准辉光放电模式,产生均匀分布的发光现象,这非常有利于对薄膜和金属材料表面的改性。 相似文献
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采用等离子球磨技术制得W-C-10Co-0.9VC-0.3Cr_3C_2纳米复合粉体,并利用单向模压成型法将其压制成生坯,再经低压烧结一步法制备成硬质合金。研究表明,等离子球磨3h所获得的复合粉体呈片层状形貌,并且成分分布均匀。在1 380℃及1 400℃烧结时,由于等离子球磨的特殊作用,VC、Cr_3C_2对WC晶粒长大抑制作用突显。1 380℃烧结制备的硬质合金,致密度为99.2%,WC平均晶粒尺寸为250nm,硬度和横向断裂强度分别为92.3HRA和2 443 MPa,具有最佳的WC晶粒尺寸与致密度配合,以及最佳的综合力学性能。 相似文献
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Si添加量对机械合金化Al-12%Sn合金组织与摩擦性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用机械合金化方法制备出Al-12%Sn-x%Si合金粉末,然后将其压制成型,并进行烧结得到块体合金;运用X线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)等研究Si添加量对Al-12%Sn合金组织和性能的影响。结果表明:添加Si使得Al-12%Sn合金中Sn相变得更加细小且均匀分布,并且通过形成Al-Si共晶液相能够有效改善合金的烧结活性,提高合金的致密度;随着合金中Si添加量增加,合金的硬度、强度和塑性都有大幅度提升。此外,添加Si的Al-12%Sn合金的摩擦磨损性能也有较大提高,Si含量为2.5%时,合金具有最优的摩擦性能。 相似文献
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纳米晶材料的晶粒长大 总被引:1,自引:0,他引:1
本文综述了纳米晶材料晶粒长大的研究进展,简述了纳米晶材料晶粒长大的等温动力学理论,讨论了溶质原子、孔洞、第二相粒子和微观应变对纳米晶材料晶粒长大的影响。 相似文献
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利用反应球磨制备Al-SnO_2-MgH_2粉末,然后通过压制和烧结制备出高热稳纳米相复合结构Al-Sn合金。运用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)等研究反应球磨制备的纳米相复合Al-Sn合金的组织和性能。结果表明:采用两步法和添加MgH_2组元的方式所制备的机械合金化(MA)Al-SnO_2-MgH_2复合粉末,经压制和600℃烧结,合金中的SnO_2几乎全部被还原成单质Sn,并呈现双尺度结构。其中,共生反应形成的纳米级Sn粒子和Al_2O_3颗粒均匀弥散地分布在Al基体中,显著提高了合金的硬度,从而使合金表现出低的摩擦系数和磨损量。 相似文献
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