Growth Conditions of Φ100 mm n <111> FZ Silicon Single Crystal

ＧｒｏｗｔｈＣｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｆΦ１００ｍｍｎ＜１１１＞ＦＺＳｉｌｉｃｏｎＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＺｈｏｕＱｉｇａｎｇ，ＺｅｎｇＳｈｉｍｉｎｇ，ＺｈａｎｇＦｕｚｈｅｎ，ＣｈｅｎＹｕｎｇａｎｇａｎｄＳｕｎＨｕａｙｉｎｇ（周旗钢）（曾世铭）（张福珍...     

国外半导体硅单晶生产情况和发展动向

一、前言 半导体硅具有电阻率范围广、温度特性好、氧化物的掩蔽性能优良等特点。因而自1950年第一只硅晶体管问世以来,世界各国对硅材料的科研、生产十分重视。在多晶硅的制备方法上曾采用过SiCl_4锌还原法、SiCl_4氢还原法、卤化硅的热分解法、SiHCl_3热分解法、SiHCl_3氢还原法、SiH_4热分解     

Effect of Growth Parameters on Core Length of Φ76．2mm Heavily Sb－doped Si Crystals

ＥｆｆｅｃｔｏｆＧｒｏｗｔｈＰａｒａｍｅｔｅｒｓｏｎＣｏｒｅＬｅｎｇｔｈｏｆΦ７６．２ｍｍＨｅａｖｉｌｙＳｂ－ｄｏｐｅｄＳｉＣｒｙｓｔａｌｓＺｅｎｇＳｈｉｍｉｎｇ，ＨｅＬｉｎ，ＷａｎｇＪｕｎｙｉ，ＣｈａｎｇＱｉｎｇａｎｄＸｕＪｉａｎｇｈｕａ（曾世铭）...     

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺锑硅单晶是在ＣＧ－３０００型直拉单晶炉上研制的，直径为８２ｍｍ，晶向（１１１）。石英坩埚直径为...     

硅单晶掺杂技术探讨

一、什么是掺杂 硅的本征电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆·厘米,而大多数的半导体硅器件诸如硅可控整流器,二极管,晶体管,集成电路等都仅需用N型或P型,电阻率低于200欧姆·厘米的硅单晶。因此必须采用一定的手段对     

大直径区熔硅单晶生长工艺的初步探讨

一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直径区熔硅单晶也开始用于制备大规模和超大规模集成电路,所以国外对此类产品     

单晶硅悬浮区熔炉的发展和设计要点

自七十年代以来,电子工业的发展异常迅速,这与其主要的基础材料—半导体硅单晶制备技术的日益提高紧密相关。当前,硅单晶产量的四分之三以上是用直拉法生产的,主要用于各种规模和类型的集成电路、分立元件和光电器件上。但是在冶金,机     

φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺

一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10~(18)cm~(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利,缺点对器件工艺有害,使晶片质量变坏。 众所周知,不同器件要求不同的氧含量:p型(100),[O]=1.0～1.3×10~(18)cm~(-3),用于MOS;n型(100),[O]=1.3     

提高n型〈100〉硅单晶质量和成品率的研究

(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25.4cm/h的速度,提升1h后取出,对比这两种条件下的单晶。     

φ100mm重掺砷〈111〉硅单晶的制备

通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的拉制工艺，轩出无位错的φ１００ｍｍ单，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的砷毒防护方法。