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用大气等离子热喷涂工艺在镍基高温合金GH4169表面制备热障涂层的粘结层和陶瓷层。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和Cr~(3+)荧光光谱表征热障涂层的热生长氧化物(TGO)的物相、生长形貌与氧化铝相变的演化。研究表明,经1050℃高温氧化后,热障涂层的TGO生长服从幂指数函数规律。TGO的主要物相为Al_2O_3、Cr_2O_3和NiCr_2O_4;1050℃高温氧化300 h后,粘结层逐渐贫铝,导致Ni与已经形成的Al_2O_3反应生成尖晶石相,由于大量的Cr~(3+)参与了加速TGO相变的过程,导致Cr含量下降。 相似文献
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室温工作将为光子型红外探测开辟更广泛的应用,系统整理和分析了从近红外到长波红外的III–V族及Ⅱ-Ⅵ族半导体探测器的室温性能,讨论不同材料体系和器件结构的室温暗电流机制。其中InAs/GaSb等二类超晶格的短周期带间级联结构以及HgCdTe抑制俄歇过程的方案在提升中长波红外室温探测性能方面都显示出了独特的优势。这些电子学结构的设计与近年来亚波长光子结构增强耦合、降低暗电流的新进展相结合,有望实现近室温工作的高灵敏红外探测。 相似文献
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过渡金属硫族化合物(TMD)薄层仅改变几何形状(如层厚)就可调节带隙、电子亲和势和费米能级,使器件设计更灵活。但因缺乏费米能级排列信息,TMD同质/异质结器件常因未知的能带弯曲而偏离预期。利用扫描开尔文探针显微镜(SKPM)表征了TMD同质/异质结,结果显示,MoS2和MoTe2同质结的费米能级随层厚增加向本征费米能级移动(背景掺杂浓度降低),而MoTe2/MoS2异质结中探测到宽耗尽区和强光响应,同时给出表面污染(分子尺度)对单层TMD表面电势的影响。上述发现将在器件设计中帮助精准堆叠范德华(vdW)层。 相似文献
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