NiCuZn铁氧体和银内电极的共烧行为

NiCuZn铁氧体正作为磁介质广泛地应用于低烧多层片式电感，因此有必要对其与银内电极的共烧行为进行研究。该文主要介绍NiCuZn铁氧体／银内电极多层复合体共烧过程中的烧结收缩、界面反应、扩散对介质性能的影响。尖晶石结构中存在相当数量的空位，这为银离子提供了一定的溶解度，因此在共烧过程中银对铁氧体的相组成影响较小。银对铁氧体性能的影响体现在两个方面。一方面是由于银具有相对低的烧结温度，从而在烧结过程中起到助烧剂的作用，促进致密化过程，提高烧结体的密度和磁导率；另一方面，银促使铁氧体中的铜在晶界处析出，导致晶界处应力，使磁导率降低，晶粒生长也被一定程度地抑制。     

Effects of various fillers on sintering,microstructures and properties of Ca-Ba-Al-B-Si-O glass/ceramic composites简

Low-temperature sintering and properties of LTCC （low temperature co-fired ceramics） materials based on CaO-BaO-Al2O3-B2O3-SiO2 glass and various fillers such as Al2O3, silica glass, christobalite, AlN, ZrO2, MgO-SiO2, TiO2 were investigated. The results show that densification, crystallization, microstructures and dielectric properties of the composites are found to strongly depend on the type of filler. The densification process of glass/ceramic composites with various fillers is mainly from 600 ℃ to 925 ℃, and the initial compacting temperature of samples is 600 ℃. The initial rapid densification of samples starts at its glass softening temperature. LTCC compositions containing Al2O3, silica glass, AlN and MgO-SiO2 fillers start to have the crystallization peaks at 890, 903, 869 and 844 ℃, respectively. The crystallization peaks are believed as correlated to the crystallization of CaAl2SiO8, β-SiO2, Ca2Al2SiO7 and β-SiO2. The composite ceramic with Al2O3, silica glass and TiO2 ceramic have a better dense structure and better smooth fracture surface. Sample for Al2O3 has the lowest dielectric loss tanδ value of 0.00091, whereas the sample for MgO.SiO, has the highest dielectric loss tanδ value of 0.02576. The sample for TiO2 has the highest dielectric constant value of 14.46, whereas the sample for AIN has the lowest dielectric constant value of 4.61.     

低温烧结Zn(Nb0.9V0.1)2O6微波介质陶瓷的结构与性能

对低温烧结Zn(Nb0.9V0.1)2O6微波介质陶瓷进行了研究,讨论了V离子取代Nb离子进入铌酸锌晶格后对材料结构与微波性能的影响以及V5+取代后材料结构与性能之间的关系.实验结果表明少量V5+取代Nb5+后材料的烧结温度可从未取代时的1150℃显著降至取代后的950℃;V离子进入铌酸锌晶格,材料晶体结构仍为铌铁矿结构;低温烧结后ZnNb0.9(V0.1)2O6微波介质材料具有圆柱状微结构和部分玻璃相物质;Zn(Nb0.9V0.1)2O6微波介质材料950℃烧结后具有最佳微波介电性能(介电常数为25,Q×f值为29 500GHz,谐振频率温度系数为-44×10-6/℃).     

准同型相界附近PZT压电陶瓷电致疲劳性能研究

研究了准同型相界(morphotropic phase boundary 简称MPB)附近不同组分的锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷在交流电场下的电致疲劳特性.发现电场频率对材料的电致疲劳性能有较大影响.高频电场下不同组分PZT材料的疲劳现象均不明显;低频电场下,不同组分的PZT材料疲劳特性差异较大.分析认为氧空位及其缔合缺陷偶极子在不同频率交变电场下的响应差异是其主要原因.拉曼光谱分析表明,低频疲劳后准同型相界区材料中部分菱方相转变为四方相,使其抗疲劳性能下降.     

低温烧结Cu、Zn掺杂Co2-Y平面六角铁氧体及其频率特性

报道了通过BiO3的掺杂而获得的较低温度（870℃左右）下烧成的Y型平面六角结构软磁铁氧体的烧结工艺,结构特征及其磁导率和介电常数的频率特性,研究发现Cu,Zn掺杂的Co2Y型软磁铁氧体材料（Ba2Co1.2-xZnxCu0.8Fe12O22)在甚高频段具有良好的磁性能和介电性能,且此种材料烧结温度低,易于实现低温烧结,是一种可以用于甚高频段的理想的软磁材料。     

新型微波介质陶瓷材料与元件的研制

报告本课题组承担的863计划项目“新型微波介质陶瓷材料与元件的研制”，在实验工作中不仅采用传统的固相反应法而且利用共沉淀和水热合成等溶液反应技术，还采用凝胶浇注成型复杂形状的微波陶瓷元件，并利用流延成型技术制备大尺寸微波集成陶瓷基板等；研制成功具有高电容率和品质因子并接近于零的谐振频率温度系数的系列化微波介质陶瓷；开发成功多种微波介质元器件，包括：介质谐振器、介质滤波器、GPS片式天线、微波电容器、通信电缆滤波接头和微波集成基板等。     

低温烧结Co2Y物理性能研究

采用传统的铁氧体工艺制备了Co2Y铁氧体软磁材料,加入少量添加剂实现了材料的低温烧结,分析了Co2Y的成相过程以及不同添加剂对材料显微结构和性能的影响。在添加剂的作用下,Co2Y可在900℃以下烧结,其在甚高频段具有很高的品质因数,可以用来制备片式电感元件。     

热处理对热压Si_3N_4-ZrO_2力学性能的影响

研究了热处理对热压 Si_3N_1-ZrO_2陶瓷力学性能的影响。结果表明:以 Al_2O_2为烧结助剂的热压 Si_3N_4-ZrO_2在1000～1200℃的中温下热处理1h 后,抗弯强度明显提高,而以 Al_2O_2-LA_2O_2为烧结助剂时热处理后抗弯强度反而降低。探讨了热处理的增强机理,认为(Y,N)稳定的立方 ZrO_2在热处理中氯化生成单斜相并伴随有体积变化,导致的表面压应力是改善强度的主要原因,强度的增长与存在的(Y,N)稳定的立方相量成正比。