C6H6掺杂MgB2超导块材的制备及其磁通钉扎机制

以镁粉(Mg)、硼粉(B)和苯(C_6H_6)为原料,经高能球磨和固相烧结制备C_6H_6掺杂的MgB_2超导块材,研究C_6H_6掺杂对MgB_2相演化、微观结构及超导临界电流密度Jc的影响。结果表明:C_6H_6掺杂几乎不改变MgB_2的形成温度;C进入MgB_2晶格替代B,晶格常数a逐渐减小,晶粒逐渐细化;掺杂C_6H_6摩尔分数为0.04的MgB_2样品具有相对低的超导临界转变温度T_c,为31 K,但却表现出优异的J_c,其在高温20 K、高磁场强度2 T下,Jc保持在3.6×10~4A/cm~2,这主要得益于晶界钉扎和点钉扎的混合磁通钉扎机制。     

阳极氧化法在曲面上制备氧化锆纳米管阵列

在甲酰胺+甘油(体积比1:1)+1wt%NH4F+1wt%H2O的混合溶液中,以直径1mm的锆丝为阳极,以石墨筒为对电极,采用阳极氧化法在锆丝表面制备出长度约30μm、管径120～150nm的氧化锆纳米管阵列。通过扫描电镜、透射电镜和X射线衍射仪对氧化物的形貌、组成和物相结构进行了表征。分别以铂片和石墨棒作对电极的实验表明,对电极的形状对纳米管阵列的形成有显著影响。对氧化锆纳米管阵列的形成机理进行了初步探讨。