ALE InAs/GaAs量子阱的受激辐射

原子层外延(ALE)技术以其单原子层构置和精确控制层厚的特点一直吸引着人们的注意力,成为目前可与MQCVD和MBE等制备超晶格材料技术相比较的一种有效手段,并且不断受到人们的改进和提高。最近,美     

电子迁移率达5 ×10~6cm~2/vs的GaAs结构

高电子迁移率材料对于基础研究和应用都有着很重要的意义。调制掺杂结构材料把离化了的杂质和电子运动的区域相互分开,使电子迁移率有了很大提高。而在低载流子密度下的高迁移率对二维有序状态的研究就更显得重要。但是,随着载流子面密度的降底,杂质散射迅速增大,因此,实现低密度     

铁磁形状记忆合金Mn_(2+x)NiGa的室温组织结构特征

采用X射线衍射分析与透射电子显微分析相结合的方法,对铁磁形状记忆合金Mn2+xNiGa(x=0,0.02,0.06)室温下微观组织结构进行研究。XRD结果表明:3种合金在室温下主要为奥氏体相。TEM以及HREM观察发现Mn含量对合金母相的微观组织形态有很大影响,在Mn2NiGa合金基体中存在Ni2In型六角结构的MnNiGa相;除存在MnNiGa相外,Mn2.02NiGa合金基体中还出现了少量层状无调制结构马氏体相;Mn2.06NiGa合金中不存在MnNiGa相,基体中有大量的无调制马氏体。HREM观察发现,3种合金在室温下都存在局域的晶格畸变,这种晶格畸变形成纳米尺度微畴,具有应变玻璃相的特征。     

可用于印刷业的薄膜电致发光器件

据报导,美国西屋匹斯堡研究开发中心Kun等人发现一种可将薄膜电致发光(TFEL)器件光输出提高一百倍,以适应某些特需要的新方法。他们实现这一结果是基于一种新的设计,使器件的发光由边缘出射,而不是象通常那样从器件的正面发光。     

采用新碲有机源的低温OMV PE CdTe生长

由于常用有机碲源料的稳定性相当高,采用OMVPE方法生长合汞Ⅱ—Ⅵ族半导体材料需要近400℃的高温。在这方面OMVPE落后于MBE方法。这是因为在这么高的温度下,不同组分的层间扩散是非常快的,阻碍了超晶格的生长,而且要求汞分压也异乎     

Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95合金的结构、磁致伸缩性能和自旋重取向研究

本文系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3,0.35)合金中金属Al替代Fe对晶体结构、磁致伸缩、内禀磁致伸缩、各向异性和自旋重取向的影响.结果发现,x＜0.4时,Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95完全保持MgCl2立方Laves相结构,晶格常数a随Al含量x的增加而增大.磁致伸缩测量发现,随着替代量x的增多磁致伸缩减小,x＞0.15时超磁致伸缩效应消失;x＜0.15时磁致伸缩在低场下(H≤40kA/m)有小幅增加,高场下迅速减小,而且易趋于饱和,说明添加少量Al有助于减小磁晶各向异性.内禀磁致伸缩λ111随[111]替代量x的增加大幅度降低.穆斯堡尔效应表明,Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95合金的易磁化方向随成份和温度在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴,即自旋重取向.室温下,当x=0.15时,Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95合金中出现了少量非磁性相;x＞0.15时,合金完全呈顺磁性.     

预变形对Ni-Mn-Ga合金马氏体相变的影响

研究了形变对Ni-Mn-Ga合金马氏体相变及其组织形态的影响，并应用马氏体相变热力学和动力学探讨了适当塑性变形后马氏体相变滞后得以大幅度提高的微观本质。结果表明，随着应变量的增加，马氏体相变温度几乎保持不变，而其逆相变温度则迅速升高，塑性应变导致储存在界面处的弹性应变能的释放是塑性变形提高合金相变滞后的主导因素。     

荧光粉及辐射图象存储屏

本发明涉及一种新型铈激活稀土卤磷酸盐荧光粉及其制备方法;以及使用该材料记录和再现辐射图象的方法和用该材料制做辐射图象存储屏。众所周知,在铈激活稀土卤化物荧光粉中有一种铈激活稀土卤氧化物荧光粉 LnOX     

单晶Ni52Mn24Ga24的磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应

铁磁性Heusler合金Ni2MnGa是近年开发的磁控制功能材料,已发现该材料结合马氏体相变可以产生大磁致伸缩（磁感生应变）和磁控制形状记忆效应两种应用功能。用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为Ni52Mn24Ga24的单晶,室温时沿该单晶样品[001]方向加磁场,在该方向获是了-0.6%的大磁感生应变。当磁场方向垂直于[001]方向时,样品在[001]方向的磁感生应变值为0.5%,同时该单晶样品在室温附近还具有可由磁场增强和控制的双向形状记忆效应。无磁场作用时,降低温度。样品在发生马氏体相变时,在[001]方向产生1.2%的收缩形变,随后升高温度,反马氏体相变时样品以同样的反应量膨胀,恢复到原来的形状,显示了特有的远需外应力协助的自发的双向形状记忆效应。其温度滞后只有10℃,如果在样品[001]方向加一个偏磁场,其形状记忆的应变往往量随磁场的增强而增大,在磁场为1.2T时可达4%,而当磁场转向[001]方向时,形状记忆的应变可以改变符号,本文指出产生大磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应的关键是马氏体变体的择优取向。     

单晶Ni_(52)Mn_(24)Ga_(24)的磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应

铁磁性Heusler合金Ni2 MnGa是近年开发的磁控制功能材料 ,已发现该材料结合马氏体相变可以产生大磁致伸缩 (磁感生应变 )和磁控制形状记忆效应两种应用功能。用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿 [0 0 1]方向生长了组分为Ni52 Mn2 4 Ga2 4 的单晶。室温时沿该单晶样品 [0 0 1]方向加磁场 ,在该方向获得了 - 0 6 %的大磁感生应变。当磁场方向垂直于 [0 0 1]方向时 ,样品在 [0 0 1]方向的磁感生应变值为 0 5 %。同时该单晶样品在室温附近还具有可由磁场增强和控制的双向形状记忆效应。无磁场作用时 ,降低温度 ,样品在发生马氏体相变时 ,在 [0 0 1]方向产生1 2 %的收缩形变。随后升高温度 ,反马氏体相变时样品以同样的应变量膨胀 ,恢复到原来的形状 ,显示了特有的无需外应力协助的自发的双向形状记忆效应。其温度滞后只有 10℃。如果在样品的 [0 0 1]方向加一个偏磁场 ,其形状记忆的应变量随磁场的增强而增大。在磁场为 1 2T时可达 4%。而当磁场转向 [10 0 ]方向时 ,形状记忆的应变可以改变符号。本文指出产生大磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应的关键是马氏体变体的择优取向。