直接法合成三氢化铝的研究进展

三氢化铝被用于新型氢能量电池、储氢材料、有机反应还原剂、加聚反应催化剂等的研究，但因其合成成本高、反应条件苛刻、产率低、产物不利于分离提纯等特点而限制了它的规模生产。铝、氢气作原料直接合成三氢化铝原料简单、催化易反应，是唯一可能实现工业化生产的方法。叙述了氢化铝直接合成的方法及各自的特点，展望了直接法合成氢化铝的研究趋势。     

一种以硅为中心的星型席夫碱液晶化合物的合成与表征

首先以对羟基苯甲醛、对硝基苯胺合成席夫碱化合物,然后将对羟基苯甲酸与氯乙醇通过取代反应合成4-(ω)-羟乙氧基苯甲酸,然后接到甲基三氯硅烷上,最后与席夫碱化合物通过酯化反应合成新的液晶化合物。通过红外光谱对液晶化合物的结构进行表征,利用偏光显微镜和DSC测试目标产物的液晶性能。结果表明:此液晶化合物具有近晶型液晶特性,液晶变化范围为160~245℃,液晶变化范围比较宽,为有机硅功能材料在液晶领域提供了广阔应用前景。     

三聚磷腈为核的酰胺星型化合物的合成及其液晶行为的研究

以对羟基苯甲酸、乙酸酐合成对乙酰氧基苯甲酸;然后对乙酰氧基苯甲酸、对氨基苯酚通过酰化反应合成酰胺化合物;酰胺化合物再与六氯环三聚磷腈发生亲核取代反应生成以三聚磷腈为核的酰胺星型化合物.通过红外光谱对化合物的结构进行了表征,并利用偏光显微镜和DSC测试目标产物的液晶性能.结果表明:六氯环三聚磷腈的氯原子已全部被取代;液晶基元为向列型碎片状织构,星型化合物为向列型花束状织构;液晶基元和星型化合物的液晶相范围分别为85～130℃、100～168℃,星型化合物的清亮点和液晶相变范围均比液晶基元的高,此星型化合物有望在液晶材料中得到应用.     

卤代烷基铝的合成及机理

以铝和溴乙烷为原料制备溴代烷基铝,氯化铝和碘为引发剂,39℃下搅拌15rain引发。引发机理为：微量水存在时,氯化铝水解的酸性环境破坏铝表面氧化膜;同时,碘取代溴得到更活泼的卤代烃。反应机理为：铝向卤代烃提供单电子生成含铝的自由基,自由基结合生成卤代烷基铝。     

含硅星型液晶的研究进展

概述了近年来星型液晶分子的研究进展,重点介绍了以硅为中心的含硅复杂形状液晶和含硅简单星型液晶,并指出了今后的研究方向及应用前景.     

以甲基三氯硅烷为中心的液晶分子的合成与表征

用对羟基苯甲醛、对硝基苯胺合成了席夫碱化合物,然后与氯乙醇发生取代反应,最后接到甲基三氯硅烷上合成新的液晶化合物。通过红外光谱对液晶化合物的结构进行表征,利用DSC和偏光显微镜测试目标产物的液晶性能。结果表明,此液晶化合物具有近晶型液晶特性,液晶相变温度范围较宽(205~251℃),为液晶小分子的发展提供了新的方向。