PBTCA与铜、锌、镉、镍离子间的配位化学研究

采用电位滴定方法，运用先进的配位常数计算程序，通过恰当配位化学模型的建立，研究了水溶液中2－膦基丁烷－1，2，4－三羧酸（PBTCA）自身的解离以及与Cu^2 、Zn^2 、Cd^2 、Ni^2 离子间的配位化学作用，测定了相应的解离常数和配合物稳定常数，并得到了各配合物物种在不同pH值条件下的形态分布，从溶液配位化学的角度对PBTCA的阻垢作用机理进行了讨论。     

用电去离子方法去除高纯水中硅的研究

研究了电压、pH、流量等因素对EDI去除高纯水中硅的影响,探讨了EDI装置对高纯水中硅的去除机理．并对传统工艺与EDI的除硅效果进行了对比。实验结果表明：在pH、流量等因素不变的情况下,电压的增加有利于EDI对硅的脱除;在电压、流量等因素不变的情况下,EDI对硅的脱除率随着pH的增加先增加,然后有所下降;在电压、pH等因素不变的情况下,流量的增加不利于EDI对硅的脱除。     

四种阻垢剂与Mg2+之间的配位化学作用研究

本文采用酸碱电位滴定分析方法，运用先进的数据处理程序-BEST程序，通过建立恰当的配位化学模式，研究了水溶液中四种阻垢剂：氨基三甲叉磷酸(ATMP)、2-磷基-1，4-丁三酸(PBTCA)、聚丙烯酸(PAA，MW=2000)、马丙共聚物(PMAAA，MW=3000)自身的解离以及与Mg^2 离子间的配位化学作用，得到相应的配合物稳定常数，作出各种配合物在不同pH值下形态分布图，并对阻垢机理的解释提供一定的理论基础。     

用两种不同的紫外光照射高纯水和 废水降低总有机碳的比较

本文研究了用185nm UV和254nm UV照射方法降低高纯水中的TOC和废水中五种有机物的TOC,用185nm UV能有效地将高纯水中的TOC降低到(≤0.3μg/L),满足超大规模集成电路用水的需要.同时研究了用两种不同的紫外线185nmUV和 254nmUV,对比照射降低水中难生物降解的有毒、有害的五种有机污染物(二苯甲酮、孔雀石绿、对氯苯酚(4-CP)、对硝基苯酚(4-NP)和罗丹明B(Rh B)的TOC,结果表明185nmUV,比254nmUV,降低有机物的TOC好得多.有利于环境保护.     

电去离子过程中膜堆电阻的研究

研究了电去离子(EDI)过程膜堆电阻的组成，考察了电压、进水电导率及进水流量等因素对膜堆电阻的影响，探讨了EDI膜堆电阻的表达式．     

紫外(185nm)降解水中二苯甲酮影响因素的研究

该文研究了浓度、流速、pH值以及Cl^-、NO3^-、CO3^2三种阴离子对医药中间体二苯甲酮降解效果的影响。用185nm紫外灯为光源，高效液相色谱仪（HPLC）为分析手段分析溶液中的二苯甲酮的浓度。试验结果证明二苯甲酮浓度增大、pH值增大，去除率降低；流速增大，去除率升高；三种阴离子对二苯甲酮的去除率都有降低作用。尤其是NO3^-对二苯甲酮去除率的影响最为明显。     

杂质离子在EDI中的传质模型

该文介绍了EDI的工作原理，提出了水中杂质离子在EDI中的四个传质过程，即（1）杂质离子从水相到树脂相的传质；（2）杂质离子在树脂相中的传质；（3）杂质离子从水相互离子选择性交换膜的传质；（4）杂质离子在离子选择性交换膜内的电迁移传质。并推导出上述四个过程的传质速率方程，以利于进一步了解EDI的性能，便于EDI的推广应用。     

半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硅、硼条件.EDI进水SiO₂浓度为1000μg/L,最佳出水硅为2.66μg/L,为目前国内最好水平.EDI进水硼浓度为50μg/L,最佳出水中硼含量为＜1μg/L.满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求(对于兆位电路硅要求＜3μg/L,硼要求＜1μg/L).     

用185 nm UV降低水中总有机碳的研究

研究了用185 nm UV降解水中有机物的机理,185 nm UV首先光解高纯水,并通过实验测出所形成的H2O2,证实了185 nm UV照射水时,可以产生活性中间体HO·等.185 nm UV应用到高纯水制备系统中,能有效地将高纯水中的总有机碳(TOC)降低到≤0.3μg/L,满足超大规模集成电路用水的需要.同时185 nm UV对废水中的有机物也有较好降解作用,是一种降解水中难生物降解的有毒有害的有机污染物的新方法,有利于丰富高级氧化技术以及环境保护.     

用EDI去除高纯水中痕量氨的新方法

本文研究了用电脱盐(Electrodeionization) EDI,去除高纯水中痕量氨(NH₃和NH₄⁺)的新方法.研究高纯水中弱离子化杂质氨的去除及其机理;研究了电流、进水电导率、进水流量和pH等对EDI去除水中氨(NH₃和NH₄⁺)的影响,进水氨浓度为208mg/L,经过一级EDI的处理,产品水中的总氨含量为0.072mg/L,对离子态铵也有很好去除效果,对进水中NH₄Cl浓度为20mg/L~100mg/L,产品水中铵浓度＜0.026mg/L.结果说明这方法是目前处理高纯水中痕量氨最好结果,远远低于太空用水＜0.5mg/L的要求.还研究了水中氨在EDI中被去除时的物种形态.