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以平均粒径为10 nm和80 nm的硅溶胶为主要原料,采用浸渍提拉法在50 nm超滤支撑体上制备了SiO2纳滤膜.研究了烧成温度对膜层密度和气孔率、物相组成、热膨胀及显微结构的影响,探讨了溶胶浓度与膜厚度的关系,确定了合适的烧结温度和镀膜工艺.结果表明:随烧结温度升高至800℃以上时,SiO2纳滤膜的密度显著提高,在850℃以上会析出方石英相,导致其在200℃左右因方石英相变而出现膨胀突变;600℃和700℃分别是10 nm和80 nm硅溶胶制备的SiO2纳滤膜的合适烧结温度;以浓度为16.9wt％的10 nm硅溶胶镀膜在600℃烧成后可以形成微结构均匀、厚度约1μm的SiO2纳滤膜. 相似文献
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