静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性.从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程.得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果.     

埋栅型电力静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ特性反向转折机理

研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子-空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性.首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致.     

埋栅型静电感应器件研制中的外延技术

对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外廷层的方块电阻达到40 000 Ω/□.实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型.研制的电力埋栅型静电感应晶体管,I-V特性良好、栅源击穿电压达到70 V,阻断电压达到,600 V.     

静电感应晶闸管的I-V特性物理分析

考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命,特别是少子空穴寿命的变化、电导调制效应、双注入空间电荷限制效应等因素,对静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor,简称SITH)在正向阻断态的整个I-V特性进行了分段物理分析,给出了理论解释并进行了计算,得出的结论与实验观测结果相吻合.     

不同品种大麦与麦芽霉菌含量的初步研究

啤酒生产过程中对微生物已有比较详细的研究，但对大麦和麦芽微生物的讨论相对较少。其中最常见的曲霉和青霉属的霉菌，对大麦造成的破坏较大，它通过侵蚀胚乳，使大麦丧失活力。大麦在储存和制麦过程中霉菌的变化情况，不仅对麦芽质量有影响，而且它也影响啤酒生产，最终影响啤酒的气     

影响糠醛含量测定的几个因素

用盐酸羟胺肟化目视比色法测定糠醛含量,快速准确,目前各厂都普遍采用。这一方法,如果掌握欠妥,有可能使分析时的误差超过规定要求。为了提高测定糠醛含量的准确性,我们认为从标准溶液的配制、标定、直到滴定结束,每一步骤、过程、都不能忽视。     

静电感应光电晶闸管负阻转折的光敏特性

Influences of light irradiation on the negative resistance turn-around characteristics of static induction photosensitive thyristor （SIPTH） have been experimentally and theoretically studied. As the gate current of SIPTH is increased by the light irradiation, the potential barrier in the channel is reduced due to the increase in voltage drop across the gate series resistance. Therefore, SIPTH can be quickly switched from the blocking state to the conducting state by relatively low anode voltage. The optimal matching relation for controlling anode conducting voltage of SIPTH by light irradiation has also been represented.     

电力静电感应晶体管大电压特性的改善

A novel structure for designing and fabricating a power static induction transistor（SIT）with excellent high breakdown voltage performance is presented.The active region of the device is designed to be surrounded by a deep trench to cut off the various probable parasitical effects that may degrade the device performance,and to avoid the parallel-current effect in particular.Three ring-shape junctions（RSJ）are arranged around the gate junction to reduce the electric field intensity.It is important to achieve maximum gate–source breakdown voltage BVGS, gate–drain breakdown voltage BVGD and blocking voltage for high power application.A number of technological methods to increase BVGD and BVGS are presented.The BVGS of the power SIT has been increased to 110 V from a previous value of 50–60 V,and the performance of the power SIT has been greatly improved.The optimal distance between two adjacent ring-shape junctions and the trench depth for the maximum BVGS of the structure are also presented.     

有机电致发光器件发光层中电场与载流子浓度分布的数值研究

以陷阱电荷限制传导理论为基础 ,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布 .分析结果表明 ,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快 ,而在中间区域几乎是线性地缓慢增大 .大部分载流子分布在靠近两个电极的地方 ,只有少量分布在中间区域 .在靠近注入电极的地方扩散电流大于漂移电流 ,而在其它区域漂移电流大于扩散电流.     

工业生产过程在线检测技术现状与展望

正一、前言工业企业的生产过程是一个非常复杂而庞大的系统,对于生产过程的控制关系着企业的运行效率。近年来,随着市场竞争的日益激烈以及国家政策的导向作用,制造业领域对产品的质量、生产效率和节能减排等都提出了越来越高的要求。目前中国正处于由制造大国向制造强国的转变阶段,当前中国制造业的增加值占全球的20%左右。为了更好地应对来自全球的竞争,需要进一步提高生产效率,提高资源利用率和控制能耗。而精细有效地控制生产过程,