印制板实测阻抗反推介质介电常数的研究

为实现印制板的阻抗精确设计,通过设计阻抗测试图形和借助阻抗模拟计算软件,用迭代分析反推出介电常数,然后用介电常数再计算出理论阻抗,并将其与实际阻抗测试结果进行比较分析。结果表明:将试验反推得出叠层结构中各不同介质的介电常数用于阻抗设计,理论设计阻抗值与实测阻抗值吻合。     

液态SiC先驱体-锑掺杂聚硅烷的合成与性质

室温下用PMS(polymethylsilane,聚甲基硅烷)和SbCl3合成了新型液态SiC陶瓷先驱体锑掺杂聚硅烷(Antimony-substituted Polysilane,APS).Sb元素的引入形成了部分支化结构,提高了APS的陶瓷收率.经320℃固化后,APS陶瓷收率为91%.1250℃烧结产物主要成分为β-SiC和Sb金属.     

低频、轻质铁/碳纳米管吸收剂研究

以二茂铁和苯为原料采用CVD技术制各了定向、长为15～160 μm铁/碳纳米管雷达波吸收剂,考察了反应温度,保温时间等对其生长状况的影响.采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、x-射线光电子能谱(XPS)对所得产物进行了形貌、组成、结构表征.结果表明产物有较高的铁填充率,铁元素是以α-Fe晶型包覆在多壁碳纳米管中;吸收剂密度为2.4～2.6 g/cm3,电磁参数在2～18 GHz范围内呈现良好的频散效应,低频段尤为显著.     

聚合物先驱体热解制备超长SiC纳米线

采用聚合物先驱体热解技术,以聚合物先驱体-聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)为原料,在催化剂辅助作用下,于1200℃热解制备出超长碳化硅(SiC)纳米线.采用电子能量散射(EDS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和x射线衍射(XRD)等分析手段对SiC纳米线进行了表征.结果表明,所制备的纳米线为高结晶性β-SiC,纳米线直径约为30 nm～300 nm,长度可达数毫米.利用.气-固"生长机制对SiC纳米线的生长过程进行了分析.     

用聚碳硅烷制备柔性疏水型碳化硅纤维毡(英文)

以聚合物先驱体转化法用陶瓷工艺与静电纺丝技术相结合制备了碳化硅(SiC)陶瓷纤维毡。以聚碳硅烷为先驱体,利用静电纺丝技术制备先驱体原纤维毡。原纤维毡经过低温交联和1 000℃以上热解,得到SiC纤维毡。当温度达到1 200℃时,纤维毡为多晶态,保持典型的三维网络结构,纤维直径约为1.1mm。电子探针分析表明,纤维毡化学组成为Si、C、以及少量O元素。SiC纤维毡具有良好的疏水性,疏水角大于130°。1 000℃热解制备的SiC纤维毡的拉伸强度为0.6MPa,断裂伸长率为45%,可应用于高温极端环境。     

高频印制板基材发展概况和选型探讨

概述了高频基材的发展现状,重点探讨了其选型原则,并介绍了高频印制板对基材的介电常数(Dk)、介质损耗因数(Df)、铜箔表面粗糙度等方面提出的特殊要求,最后分析了全球主要高频基材供应商的相关产品材料组成及其介电性能。