PMN-PFN铁电陶瓷低温烧结技术研究

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(PMN)是一种典型的弛豫铁电体,它具有很大的介电常数,较小的介电损耗,良好的压电稳定性和电致伸缩效应,在叠层电容器、致动器等方面有重要的应用。PMN可以方便地与Pb(Fe1/2Nb1/2)O3(PFN)形成固溶体以移动介电常数峰值温度(Tm)。本文使用Swartz和Shrout提出的两步法,研究了基体掺杂不同物质对0.9PMN-0.1PFN和0.75PMN-0.25PFN二元体系的烧结性能及介电性能的影响。经研究发现:添加BiFeO3、Li2CO3、MnO2,都能使烧结温度降低。其中,当在0.9PMN-0.1PFN中掺入5wt%的Li2CO3时,介电常数为18120,大于纯组分的0.9PMN-0.1PFN的介电常数,当掺入BiFeO3和MnO2时,都使介电性能恶化。对不同掺杂对性能的影响进行了解释。     

La掺杂(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.82)(K_(0.5)Bi_(0.5))_(0.18)TiO_3系统无铅压电陶瓷的制备工艺探讨

采用传统陶瓷工艺,研究了制备[(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18]1-xLaxTiO3(x=0.00,0.01,0.03,0.05,0.10)无铅压电陶瓷的工艺条件对陶瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响。利用XRD、SEM等技术分析结果表明,合成温度的提高有利于主晶相的形成,且此系统烧成温度范围较窄,故需控制在合适的烧成温度下才能得到高致密度的陶瓷。同时,研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响,结果表明,提高极化电场强度、控制适当的极化温度有利于提高材料的压电性能。     

微波介质陶瓷材料发展综述

微波介质陶瓷是移动通讯技术快速发展的关键材料。综述了微波介质陶瓷材料的发展现状、特性和影响因素,详细介绍了几种主要的微波介质陶瓷体系,讨论了微波介质陶瓷材料的低温烧结及其存在的问题,并指出了今后的发展方向。     

B-Zn复合掺杂的LNT微波介质陶瓷的低温烧结

研究了烧结助剂B2O3、ZnO对Li0.925Nb0.375Ti0.8O3(LNT)陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:B2O3-ZnO复合掺杂能有效降低烧结温度至900℃。ZnO的添加调节了LNT陶瓷正的频率温度系数,质量分数为1%的B2O3和4%的ZnO是最佳添加量,可得到εr为59.5,Q·f为7840GHz,τf为0×10–6℃–1的微波介质陶瓷材料。     

La掺杂(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18TiO3系统无铅压电陶瓷的制备工艺探讨

采用传统陶瓷工艺，研究了制备[（Na0.5Bi0.5）0.82（K0.5Bi0.5）0.18]1-xLaxTiO3（x=0．00，0．01，0．03，0．05，0．10）无铅压电陶瓷的工艺条件对陶瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响。利用XRD、SEM等技术分析结果表明，合成温度的提高有利于主晶相的形成，且此系统烧成温度范围较窄，故需控制在合适的烧成温度下才能得到高致密度的陶瓷。同时，研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响，结果表明，提高极化电场强度、控制适当的极化温度有利于提高材料的压电性能。     

镧掺杂钛酸铋钠钾系无铅压电陶瓷的制备工艺

利用XRD、SEM等技术分析方法,研究了工艺条件对[(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18]1-xLaxTiO3(x=0~0.1)无铅压电陶瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响。结果表明:提高合成温度至870~900℃有利于主晶相的形成;在1130℃下烧结可得到高致密样品。同时研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响:极化温度保持在80~100℃之间,极化电场强度为4MV/m可以得到较好的压电性能。