High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟

High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。     

固体理论进展——半世纪回顾

本文回顾了自1964年密度泛函理论(DFT)提出而引入了被称为第一原理计算电子学近半个世纪以来,固体物理在理论、材料与实验上的进展.所选的关注点是那些和微纳电子学与集成电路技术有关的重大进展.内容分为固体理论与计算电子学、低维与超导材料两个部分.硅基CMOS集成电路在经历了本文涵盖的同一历史时期中令人瞠目的高速发展后,无论在研究与产业上都处于一个新发展阶段的十字路口.通过回顾作为现代信息工程基石的固体器件与理论的进展,可以对今后集成电路的发展趋向提供一个分析参考.     

射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数的提取

从有理分式拟合方法出发,提出了用于射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数提取的新方法.通过比较提参后等效电路给出的S参数和实验测量的S参数,证明该方法的精度很高.此外,提参的策略非常直接,因此容易在CAD里面编程实现.提参得到的等效电路模型对于射频电路设计者来说也是非常有用的.     

浅谈环保型增塑剂生产过程中污染最小化的处理措施

研究了具体的单个增塑剂生产过程中各个生产环节“三废”的产生情况，以及怎样最大限度地减少污染物生成的方法。复配型环保增塑剂是几种不同优良增塑剂的叠加，可以赋予塑料制品多方面的特性，对此类增塑剂的生产特点以及怎样控制污染物做了分析和介绍。     

一种基于平面螺旋电感的不平衡变压器的设计

提出了一种基于0.13μm工艺,采用平面螺旋电感结构的宽带单片不平衡变压器。该电路的中心频率为23 GHz。在中心频率附近,模拟结果显示,单端口损耗为8 dB,在20~30 GHz频率范围内,两端口信号幅度误差为1 dB,相位误差为5°。     

一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型与提参方法

为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路,在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻Rlgs,Rlgd,并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改进,建立了19元件(20参数)的小信号等效电路拓扑结构.根据此模型提供了一套稳定的直接提参方法,结果表明新的模型系统具有简单、适应频率、偏压范围广、稳定性好和精度高等特点.相比于传统的集总模型能适应更高的频率范围,对器件品质和测量环境要求不高,有更强的稳定性.     

GaAs高温栅全平面离子注入技术研究及运算放大器差分输入电路的实现

<正>本工作主要从事高温栅离子注入全平面工艺的研究,并应用此技术设计和制备了具有良好性能的耗尽型GaAs MESFET和GaAs运算放大器差分输入电路.80年代初期,由于离子注入、干法技术的发展、高温栅离子注入全平面工艺逐渐取代了传统的凹栅工艺,成为更有前途的GaAs MESFET集成电路技术.该工艺通过直接在半绝缘衬底上注入和退火的方法,形成有源层和n~+层;以高温栅取代传统的A1栅和其它低温栅,并引进干法刻蚀技术取代传统的“剥离”技术;同时以高温栅为掩蔽,自对准注入n~+层.离子注入形成的有源层,具有更好的均匀性;通过调整注入剂量和能量,来调整MESFET夹断电压,更具灵活性,易控制,精度高.同时,以栅为掩蔽自对准注入n~+层,大大减小了串联电阻;整个电路制作在同一平面上,克服了凹栅工艺布线成品率较低的问题.整个电路一致性、均匀性都较好,成品率也大幅度提高.     

构建新型航空发动机研制的柔性制造中心

航空发动机研制、生产周期长，工艺装备品种多、数量大，竞争需求导致发动机不断更新换代，但批量不大，生产单位形成批生产和新机研制并存的格局。     

一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型

提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件.     

GaAs自对准高温栅全离子注入运放差分输入电路研究

本文主要从事GaAs自对准高温栅全离子注入技术(SAG)的研究,并以此工艺为基础,制作了WSi_xN_y/GaAs SBD,栅长分别是0.8μm和0.5μm的MESFET和GaAs.高速运算放大器差分输入电路.其中制造的耗尽型MESFET,栅长0.8μm,栅宽25μm,夹断电压V_P=-2.5V,跨导gm达170mS/mm栅宽,饱和压降V_(dss)仅0.7V,漏源击穿电压BV_(dx)达6V.制造的GaAs运放差分输入电路,最大直流增益30dB,在1GHz下仍有29dB的增益,平均直流增益22dB,输入失偏较小,电源8～12V可调,其性能达国外1985年实验室研制水平.在电路设计中,采用SPICE3a7程序,成功地进行了GaAs差分输入电路模拟和设计.