Pt/TiO2纳米管的制备及其电化学性能研究

采用微波加热多元醇还原的方法制备了贵金属Pt负载的TiO2纳米管复合材料,并对其形貌和结构进行了表征。结果表明,试验中所制备的TiO2纳米管直径约10nm左右,长度达到几百纳米甚至微米级。微波法负载的Pt粒子粒径分布均匀,尺寸约在4.5nm左右。电化学结果表明该复合纳米材料对甲醇具有一定的催化氧化作用。     

高职院校之体育教育

在第十届全国人民代表大会第三次会议上就如何贯彻落实科学发展观、努力构建社会主义和谐社会,在政府工作报告中作了深刻阐述。“大力发展各类职业教育。认真贯彻党的教育方针,加强体育教育工作,推进素质教育,促进学生全面发展。     

X波段双偏振气象雷达差分相位质量控制

气象雷达差分相位的质量控制是通信和遥感遇到的一个基本问题。前向散射引起的差分相位估计的准确性对于测量降水量,反射率的衰减订正具有重要意义,尤其对于X波段的双偏振雷达。而后向差分相位的值则包含了非瑞利散射和降水微物理等有价值的信息,因此需要准确地分离出前向散射引起的差分相位和后向差分相位。但在雷达射线传播路径中可能会存在其他非气象目标的干扰或受到周围某单频点电磁波的干扰,导致接收到的电磁波存在噪声因素,从而使测量得到的总差分相位值不准确,因此还需要考虑对接收得到的差分相位先进行质量控制。本文基于X波段双线偏振多普勒天气雷达,提出了对测量得到的差分相位进行质量控制的方法,有效地减少噪声的影响,再利用处理得到的总差分相位分离前向散射引起的差分相位和后向差分相位。结果表明,该方法可以有效地对非降水回波干扰引起数据的大振幅进行平滑,分离得到的前向散射相位满足理论规律。     

大气折射率波动引起的SAR成像误差分析

合成孔径雷达(SAR)成像中通常默认大气折射率为1,即电磁(EM)波速率等于自由空间光速且忽略大气吸收特性,但实际存在的吸收会减弱入射功率,电磁波速率的变化会引起相位误差,从而影响图像重建.该文定量分析电磁波速率波动和大气吸收对雷达图像的影响,理论推导得出大气吸收会导致振幅误差,表现为散射点在图像中的重建幅度误差;电磁波速率波动会导致相位误差,表现为散射点在图像中的重建位置误差.仿真实验验证了误差分析的正确性.该分析进一步完备了SAR成像误差分析,有助于SAR图像正确解译.     

适用于宽带和窄带照射源的无源合成孔径雷达成像方法

无源合成孔径雷达成像利用外部照射源和运动接收机对感兴趣场景进行成像,具有良好的电子对抗性,并可降低系统成本,利于系统小型化,缓解频带拥挤。本文给出基于逆散射理论和微局部分析的无源合成孔径成像统一理论,适用于沿任意轨迹运动的机载接收机和静止或运动的照射源。考虑发射两种发射波形：窄带连续波(Continuous-wave, CW)和宽带脉冲波形,相应给出两种新的无源合成孔径成像模式：针对宽带脉冲波形的合成孔径无源成像(Synthetic aperture hitchhiker, SAH)和针对单频或超窄带连续波的多普勒合成孔径无源成像(Doppler synthetic aperture hitchhiker, DSAH)。首先建立回波相关信号模型,该模型可消除与发射机相关的相位项,然后利用滤波反投影理论和微局部分析对相关回波数据进行反演,对应SAH和DSAH这两种无源模式,分别将相关回波数据反投影到无源距离和无源多普勒等值线上,给出详细的分辨率分析。最后通过仿真实验对成像方法进行验证。     

3300V 4H-SiC MOSFET 设计与加工

成功设计并制造了击穿电压超过3300V 的4H-SiC MOSFET。通过数字仿真优化了漂移层和DMOSFET有源区参数。漂移层N型外延厚度为33微米并且掺杂浓度为2.5E15cm-3。器件采用浮空场限制环作为终端。当栅极电压为20V,漏极电压为2.5V时,漏极电流为5A。     

宽带线调信号脉内参数及二维角联合估计

针对具有时变阵列流型的宽带线性调频(WLFM)信号,建立瞬时波束空间阵列模型,实现多个WLFM信号瞬时频率和二维角联合估计;同时利用二维角估计值完成信号间瞬时频率的分离,并最终实现各个WLFM信号脉内参数(初始频率和调频斜率)估计.算法具有相干信号处理能力,且不需空间平滑或聚汇等预处理.仿真实验证明了算法的有效性.     

五五酒厂应用TH─AADY于浓香型大曲酒和半酶固态法白酒生产技术的总结

１９９２年４月至１９９３年２月，我厂应用ＴＨ─ＡＡＤＹ于大曲酒生产班组试验成功后，进行全面推广，平均提高出酒率５．７％，名酒率９．２％，全年曲酒生产增加效益４１４．６７万元。１９９３年７月到１２月，又进行了半酶固态法替代传统大曲生产普通曲酒的生产试验，取得了成功。全年以生产１０００吨白酒计算，年节约粮食７８７．２３吨，出酒率提高１２．６％，减去ＴＨ─ＡＡＤＹ和糖化酶生产成本后，增加效益１５５．１６万元，两项共计５６９．８３万元。     

采用浮空场限制环的耐压10kV碳化硅二极管的开发

The design, fabrication, and electrical characteristics of the 4H-SiC JBS diode with a breakdown voltage higher than 10 kV are presented. 60 floating guard rings have been used in the fabrication. Numerical simulations have been performed to select the doping level and thickness of the drift layer and the effectiveness of the edge termination technique. The n-type epilayer is 100 μm in thickness with a doping of 6 × 10^14 cm^-3. The on-state voltage was 2.7 V at JF = 13 A/cm^2.