半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理

利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值.计算结果表明:的确存在一个参数(杂质有效玻尔半径)可用来完全确定束缚能的值,而不必考虑截面的形状和尺寸;体系的维里定理值并不等于常数,而是随杂质有效玻尔半径变化,在阱宽较小和较大时,维里定理值都趋于2.     

表面弹性能K13项对弱锚定液晶盒指向矢分布的影响

在向列相液晶的Fréedericksz转变(沿面校列状态到垂直排列)过程中,液晶体系的自由能中含有表面弹性能K13项.用数值计算的方法研究了表面弹性能K13项对弱锚定向列液晶盒指向矢分布的影响,且指出饱和点处K13项的存在会影响到外磁场作用下液晶盒的饱和场强值和转变的性质.此外给出了转变类型的判断条件.     

向列型液晶中短程关联对H－J－L理论的修正

向列型液晶中短程关联有重要的物理效应．但分于两体势包含高阶项时，给出可靠计算遇到困难．本文在格胞理论的基础上引入新的数值方法，从而给出短程关联对Ｈ－Ｊ－Ｌ理论的修正．     

中子星磁场研究进展

射电脉冲星，包括单星和双星，其观测特征被评论．双星脉冲星和毫秒脉冲星的短周期和弱磁场相关性暗示这些脉冲星是存在双星吸积过程的反加速脉冲星．最近提出的中子星磁场起源与演化模型进行了分析．     

向列相液晶硬棒模型的改进

向列相液晶被广泛地应用于TN,STN等显示技术,向列相-各向同性相的转变温度TNI的研究具有重要的理论和应用意义.在L.Onsager硬棒理论的基础上,考虑分子之间的相互吸引势,从而给出改进的模型.利用“集团展开”方法,导出了系统的自由能;采用Zwanzig方法,得到序参量的自洽方程,系统的状态方程及所得转变温度TNI与L.Onsager硬棒理论相比更接近实验结果.     

超密态物质中超强磁场的形成

当物质密度达到10~(14)—10~(16)gm/cc,超密态物质会形成夸克集团相。在这个相中,物质由非色单态的夸克集团构成。夸克集团之间相互作用是强烈依赖于集团自旋取向的,因而导致按自旋排列的长程序。其居里温度约10~(120)K。夸克集团的磁矩跟中子相同,因而在居里温度以下,会形成磁畴,磁畴中心的磁感强度可达10~(16)高斯,形成超强磁场。     

液晶显示屏象素的边缘效应及象素密度的理论上限

液晶显示屏由众多象素构成。解二维非线性偏微分方程组．求得液晶盒内指向矢分布。讨论了象素的边缘效应，得到象素密度的理论上限。     

GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面

通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性,计算了Ga As/ Ga1 - x Alx As量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面.结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响,并且对于相同尺寸的量子线,有限深势阱中杂质态的光致电离截面要比无限深势阱中的大.与他人的结果比较发现,所选波函数改进了体系的束缚能,并使光致电离截面减小,这使得结果更为合理     

液晶分子的抗弯刚度和分子间位致排斥势

定义了反映分子刚性的物理量,称为抗弯刚度K.给出了用具体的化学键结构及键的力常数计算的K方法.计算得PAA,anisaldehyde azine及BA的K分别为3.17×10~5,2.93×10~5,4.17×10~5(?)kK,导出了分子间位致弹性排斥势.提出了处理弹性棒分子体系的统计物理方法.对PAA作了具体的数值计算.并讨论了向列序形成的微观机制:吸引势是主要的,但位致排斥势起十分重要的作用.