基于空间生产的陶溪川陶瓷文化空间研究

本文基于空间生产理论对陶溪川陶瓷文化空间进行了研究,分别从空间实践、空间表征、表征空间三个方面论述陶溪川文化空间,并对其空间改造、再生产过程等进行解析,总结了改造所引起的空间变迁以及变迁过程的内在机理和推动机制。通过该研究有助于拓展我国传统文化空间研究视角和范式。     

基于分子管理石脑油5A分子筛液相模拟移动床吸附分离工艺的优化

在已有固定床工艺的基础上,提出基于分子管理的液相模拟移动床吸附分离工艺以实现石脑油中的正构烷烃与非正构烷烃的分离。考察了模拟移动床工艺的操作温度、切换时间、进料流速、脱附剂流速以及脱附油抽出流速对分离效果的影响,也考察了后续脱附剂精馏回收过程。结果表明,优化的工艺操作条件为操作温度170℃、切换时间900s、进料流速5 mL/min、脱附剂流速20 mL/min、脱附油抽出流速10 mL/min。经过模拟移动床吸附分离工艺,脱溶剂脱附油中正构烷烃质量分数达到98%,脱溶剂吸余油中非正构烷烃质量分数也达到92%。与原料石脑油相比,脱溶剂脱附油作为乙烯裂解原料时,乙烯收率可以提高约17百分点;脱溶剂吸余油的芳烃潜含量提高了约10百分点,其研究法辛烷值提高了约20个单位。     

垃圾场截污坝基础帷幕灌浆方案选择

目前世界上较为先进的增圾处理场都是用粘土夹防水土工膜的水平防污力式。而水平防渗的投资十分巨大。因此，参照有关工程，我们确定 以一部分自然山体天然防渗与人工垂直防渗相结合的设计方案，即利用一个山沟两侧岩体不渗漏，面在沟口修建人为垂直防渗工程的方式。     

基于局部拓展理论的直流多馈入系统分区方法

针对多回电网换相型高压直流输电(LCC-HVDC)馈入的交流系统容易发生同时换相失败的问题,本文采用了对多馈入系统进行电网分区的方案,以隔断多回直流之间的耦合,减少发生同时换相失败概率.首先,对多馈入系统进行N-1故障扫描,找出三永交流故障能够引起多回直流发生同时换相失败的线路集合,并将线路负载率较高的线路从线路集合中剔除.随后,基于局部拓展理论对系统中的节点进行自下而上的聚合,形成初始分区.在此过程中,首先给出了考虑PV节点和传统直流的电压/无功灵敏度矩阵的计算方法,随后采用节点聚合度函数和分区适应度函数分别计算节点聚合度和分区适应度.最后,综合考虑线路集合和分区短路比对分区结果进行修正,并给出了分区方案的流程.以IEEE 39节点系统为参考给出了算例,对整个分区过程进行验证.并结合某实际电网给出了分区方案.     

基于TMS320F2812DSP的调试监控软件实现

为了方便高效地使用高级语言开发适用于TMS320F2812DSP芯片的程序,需要构建一个使用简单、功能完善的调试监控系统。在对该款芯片所能加载和运行的COFF文件行号表和符号表进行了深入解析的基础上,重点阐述了高级语言编程中程序断点和全局变量监控两项功能的实现过程,为该款芯片成功构建了高级语言调试监控系统的软件部分。经试验证明,所构建的调试监控系统使用方便、稳定、可靠。     

AlN/GaAs界面的AES和XPS研究

在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键,没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明,ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素在ＡｌＮ淀积过程中从ＧａＡｓ表面转移到ＡｌＮ膜中．这与通过ＰＥＣＶＤ方法淀积ＡｌＮ薄膜形成的ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面完全不同．由于ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素是与Ａｌ结合的,因此有较好的界面特性．这是直流磁控反应溅射方法制备的ＡｌＮ薄膜适用于ＧａＡｓ器件钝化的主要原因     

赝形δ掺杂AIGaAs／InGaAds／GaAs量子阱的光致发光性质研究

测量了一系列不同隔离层（ｓｐａｃｅｒ）厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管（ｐＨＥＭＴｓ）量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了（ｅｌ－ｈｈ１）和（ｅ２－ｈｈ１）两人发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自治求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能极以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化。     

MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料

用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.     

非均相湿式过氧化氢氧化H-酸废水的研究

为研究催化剂对湿式过氧化氢氧化印染废水效果的影响,采用共沉淀法制备了TiO2-CeO2催化剂,并用浸渍法制备了不同铁负载量的Fe/TiO2-CeO2系列催化剂。以过氧化氢湿式催化氧化法处理COD=10 125 mg/L的H-酸模拟印染废水,结果表明:以TiO2-CeO2催化剂处理水样,当催化剂质量浓度为4 g/L,n(Ti)∶n(Ce)=9∶1,水样初始pH=5,反应温度80℃,反应时间2 h,COD去除率达44.3%;以Fe/TiO2-CeO2处理水样,当催化剂质量浓度为4 g/L,n(Ti)∶n(Ce)=9∶1,w(Fe)=2.0%,在水样初始pH=5,反应温度100℃,反应时间1.5 h的条件下,COD去除率可达86.9%。