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采用射频反应溅射工艺沉积了α—SiC:H薄膜。利用微分扫描量热器(DSC)和差热分析仪(DTA)两种热分析方法确定了α—SiC:H薄膜的脱H过程和相转变温度,353.2℃脱Si—H和602.6℃脱C—H,并在1080℃相变结晶。在氨气流保护下的光热炉内进行热处理,Fourier红外光谱(FTIR)和反射谱的研究表明,400℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降。高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si—C键,促进薄膜致密,并能提高其在紫外部分的反射率,降低红外区域的反射率。热处理温度超过500℃,容易导致薄膜脱落。适当的退火工艺有利于拓展碳化硅薄膜在空间材料上的应用。 相似文献
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:首先以某柔直工程为研究对象,进行了柔直换流阀塔配水系统设计。其次对配水的均匀性进行了仿真研究,各模组流量在16.5 L/min左右,流量偏差率为3.9%,流量不均匀度为1.9%,各模组流阻在160 kPa左右,流量分配均匀。最后搭建了阀塔,测试了阀塔各模组的流量,流量在16 L/min左右,流量偏差率为4.2%,不均匀度为2.2%,流量分配均匀,仿真值和实测值较接近,最大偏差为3.1%。仿真和测试规律吻合:远离主进水管的模组流量要小于靠近主进水管模组流量,同一层呈现逐渐下降的趋势。由此可知,仿真计算可靠,可用于指导设计。 相似文献
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分布式电源的接入对配电网中潮流分布、有功损耗和电压分布有很大影响。针对含DG配电网运行优化问题,建立了以DG最大出力、有功网损最小及电压偏差最小的多目标优化模型,提出一种改进的非支配排序遗传算法求解分布式电源的最优化有功出力。在NSGA-Ⅱ算法基础上改进了非支配排序策略、选择截断策略,采用改进的NSGA-II算法求解含DG配电网优化控制问题。通过IEEE33节点算例分析,结果表明该模型可以在分布式电源最大出力、有功网损最小及电压偏差最小方面,较为全面地实现配电网分布式电源的优化控制。 相似文献
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本研究借助声发射技术对铌基高温抗氧化涂层在常温下的弯曲失效过程进行了研究。利用k均值聚类方法对信号进行了分类, 结合截面扫描电镜观测结果确定高温抗氧化涂层在弯曲载荷下的信号分别对应基体变形、表面垂直裂纹、滑动型界面裂纹和张开型界面裂纹, 通过快速傅里叶变换得到了各类信号的主频分别为100、310、590和450 kHz, 借助小波分析得到了各信号的小波能量系数。涂层弯曲失效过程主要包括四个阶段, 分别为受拉侧表面垂直裂纹萌生的初始损伤阶段、表面垂直裂纹增殖阶段、两侧界面裂纹快速扩展的损伤积累阶段和受压侧涂层明显剥落的宏观剥落阶段。 相似文献