TiAl基合金板材制备技术的发展现状

综述了TiAl基合金板材制备技术的发展现状。介绍了的制备TiAl基合金板材三种技术的工艺过程及制得的TiAl基合金板材的显微组织和力学性能。     

ZnS掺杂技术研究及应用现状

对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果作一概述性介绍，综述了纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理，主要的掺杂技术、方法，并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。     

全层状TiAl合金层片生长及其影响因素

利用光学显微镜(OM)和TEM，研究了全层状TiAl合金的层片间距的影响因素及与各因素的关系。实验结果表明，全层状TiAl合金的层片间距与冷却速度和合金中铝含量有关，层片间距与冷却速度呈反比关系，并随着合金中铝含量的增加而增加。同时，以层片生长的台阶机制为基础，推导出了全层状TiAl合金在连续冷却过程中层片间距的数学表达式，推导结果与实验结果相符。     

Ti-Al基合金中的Hall-Petch关系及影响因素分析

研究了全层片状组织Ti-Al基合金的室温拉伸性能与品团尺寸的关系。Ti-Al基合金的室温拉伸屈服强度和断裂强度与晶团尺寸成Hall-Petch关系。当合金中添加替代元素Cr和Nb时，其Hall-Petch斜率不变；而添加间隙元素C和B时，其Hall-Petch斜率增加。Ti-Al基合金的室温延伸率与晶团尺寸不满足Hall-Petch关系。     

一台410t/h燃煤锅炉水冷壁结渣原因探讨及解决对策

北京国华电力有限责任公司热电分公司1号锅炉运行中结渣严重，对此从燃料特性，锅炉结构、炉内空气动力结构、运行状况等方面进行了分析，探讨了其结渣的原因，并提出了相应的解决措施。     

具有一级相变的CoCr2O4纳米颗粒体系的磁卡效应

报道了CoCr2O4纳米颗粒体系的磁卡效应.该体系在其居里温度附近磁化强度有一个突然的下降(△T≈4 K),预示可能存在一级磁相变.低场(1 T)测量得到该材料的磁熵变为0.43 J/K·kg.Arrott曲线证明,在居里温度附近存在一级磁相变.     

W+Co+C(碳黑)制备板状晶硬质合金及其性能研究

采用经球磨扁平化处理的W粉末为原料,添加适量Co、C(碳黑)、成型剂及纳米W粉制备板状晶硬质合金,研究了烧结温度、时间和添加纳米W粉,对板状晶硬质合金显微组织结构和性能的影响。结果表明,球磨预处理中颗粒W粉末可获得扁平化程度高的薄片状W粉末,以其为原料制备的WC-12%Co(质量分数)板状晶合金相对密度达97%,合金硬度呈现出明显的各向异性;添加纳米W粉或提高烧结温度、延长烧结时间,均有利于压坯烧结收缩致密化,生成更多的板状WC晶粒。     

电站锅炉高温辐射式过热器超温变形的研究

针对北京第一热电厂超高压锅炉辐射式过热器的严重超温变形问题，通过理论计算与技术分析以及试验研究，分析了超温变形的主要原因，提出了技术改进方案。     

纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型

用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明,三者具有较好的一致性.对掺Si样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样品,基于Chin理论的补偿度值与普遍采用的实验拟合值常有一定偏差,通过理论计算及数值方法,得到了掺硅GaN补偿度的解析模型函数θSi,在室温载流子浓度3×1016～1018 cm-3范围内,该模型值与普遍采用的实验拟合值符合得较好,与基于Chin理论的补偿度θChin也有很好的相容性.该模型对GaN材料分析及器件的计算机模拟、器件仿真有重要意义.