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基于变容二极管设计了215 GHz三倍频器。为了简化结构和提高功率容量,该倍频器采用同向并联二极管对结构实现非平衡式三倍频。由于在太赫兹频段二极管的封装会影响到器件的场分布,将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计仿真存在一定缺陷。故建立了精确的二极管三维电磁模型,在非线性区域合理的设置了波端口,采用改进型场路结合仿真的方式对倍频器进行了设计。测试结果表明,该倍频器在207～226 GHz输出频率范围内,输出功率大于2 mW,最大输出功率为5.4 mW,最小变频损耗为13.1 dB。 相似文献
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利用阻性二极管实现了一种D频段二倍频器,设计了一种新型双鳍线输入过渡结构,并成功应用于该二倍频器,该结构能更好地实现输入波导与二极管的匹配.该二倍频器采用肖特基势垒二极管MA4E2038,电路制作在0.05 mm厚石英基片上.仿真结果表明,在146.8 GHz处获得最高倍频效率10.3％.实物测试结果显示,在自偏置情况下倍频器在148 GHz处获得最高倍频效率2.3％,在0.7V偏置电压下倍频器在154 GHz处获得最大输出功率1.1 mW.输出功率可以满足多数应用下对信号源的需求,该倍频器对处于大气窗口的140GHz通信系统具有借鉴作用. 相似文献
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基于肖特基势垒二极管三维电磁模型的220GHz三倍频器 总被引：1，自引：0，他引：1
采用阻性肖特基势垒二极管UMS DBES105a设计了一个太赫兹三倍频器.为了提高功率容量和倍频效率,该倍频器采用反向并联二极管对结构实现平衡式倍频.根据S参数测试曲线建立了该二极管的等效电路模型并提取了模型参数.由于在太赫兹频段二极管的封装影响到电路的场分布,将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计存在一定缺陷,因此还建立了二极管的三维电磁模型.基于该模型研制出的220 GHz三倍频器最大输出功率为1.7 mW,最小倍频损耗为17.5 dB,在223.5 GHz~237 GHz输出频率范围内,倍频损耗小于22 dB. 相似文献
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