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1.
采用直流磁控溅射法制备Ta/[(Fe89.6Co10.4)0.76 nm/Cu1.2 nm]25多层膜,X射线衍射试验结果表明,退火处理提高了薄膜的结晶度,退火温度达到550℃时,薄膜中发生Fe Co和Cu的相分离;AFM测试表明增加Ta缓冲层后可有效地降低薄膜的粗糙度;巨磁电阻(GMR)效应测量结果表明,随着退火温度的升高,样品的巨磁电阻效应呈现出先增大后减小的趋势,在350℃达到最大值-1.95%;薄膜的磁性饱和场随着退火温度的升高而变大,矫顽力亦增加,并在450℃时达到3.614×104A/m。  相似文献   
2.
将通过化学共沉淀法合成的Ni_(0.7)Co_(0.1)Mn_(0.2)(OH)_2三元前驱体与锂源LiOH·H_2O混合均匀,用高温固相反应法合成LiNi_(0.7)Co_(0.1)Mn_(0.2)O_2三元正极材料。采用XRD、SEM、恒电流充放电电池测试系统和电化学工作站对高温烧结合成的三元正极材料的晶体结构、颗粒形貌和电化学性能进行研究。结果表明,在850℃下高温煅烧合成的LiNi0.7Co0.1Mn0.2O2材料具有最优的组织结构、微观形貌和电化学性能。0.2 C倍率下首次放电比容量达到191.5 mAh/g,1.0 C倍率下循环50圈后的放电比容量为178.3 mAh/g,容量保持率达96.5%。  相似文献   
3.
一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。  相似文献   
4.
采用溶胶-凝胶工艺在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O阻变薄膜,研究了退火温度和薄膜层数对Mg0.2Zn0.8O薄膜生长行为、漏电流性能的影响。研究发现,Mg0.2Zn0.8O薄膜是多晶态结晶结构,薄膜的(100)、(002)和(101)晶面所对应衍射峰的强度随镀制薄膜层数的增多和退火温度的升高明显增强。结果表明,随退火温度的升高,高阻态(HRS)和低阻态(LRS)的漏电流减小;然而,HRS时薄膜的漏电流却随Mg0.2Zn0.8O薄膜层数的增多而变大。退火温度和薄膜厚度改变Mg0.2Zn0.8O阻变薄膜中氧空穴和缺陷的数量,进而影响Mg0.2Zn0.8O薄膜的漏电流。  相似文献   
5.
通过化学共沉淀和高温固相反应法合成不同Li/M比(Li为锂元素的物质的量,M为过渡金属元素总物质的量)的LiNi0.7Co0.1Mn0.2O2正极材料,采用XRD、SEM、恒流充放电测试系统和电化学工作站研究Li/M比对材料结构、形貌和电化学性能的影响。结果表明,Li/M比为1.10的LiNi0.7Co0.1Mn0.2O2正极材料层状结构完整,颗粒形貌良好,电化学性能最优。0.2 C充放电条件下的首次放电比容量达到204.0 mAh/g;1.0 C充放电条件下循环充放50圈后放电比容量为187.0 mAh/g,容量保持率达到97.2%。  相似文献   
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