等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展EI北大核心CSCD

石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能。为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一。本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展。在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础。     

基体负偏压对类金刚石涂层结构和性能的影响

采用直流等离子体增强化学气相沉积技术(DC-PECVD),通过控制基体负偏压的变化在YG8硬质合金基体上制备一系列类金刚石涂层。选用扫描电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱、粗糙度仪对涂层形貌和结构进行表征测试。同时,利用显微硬度计、划痕测试仪系统地分析涂层的显微硬度和界面结合性能。结果表明:随着负偏压增大,涂层表面形貌逐渐平整光滑、致密,颗粒尺寸减小及数量降低。拉曼光谱表明,涂层具有典型的类金刚石结构,涂层中sp3键含量呈先增大后减小趋势,最大值约67.9%出现在负偏压为1000V左右,负偏压过大导致sp3键含量降低。显微硬度随负偏压变化规律与sp3键基本相符,sp3键含量决定显微硬度值大小。负偏压过大对吸附离子产生反溅射作用导致涂层厚度减小。当负偏压为1100V时,涂层与基体间的界面结合性能最优。     

钴基高温合金铝化物涂层的高温氧化行为研究

本文采用化学气相沉积的工艺方法在钴基高温合金上制备了铝化物涂层,研究了所得典型铝化物涂层在静态空气中的高温氧化动力学规律。用XRD、SEM、EDS等方法分析了DZ40M铝化物涂层的组织结构及氧化产物的演变变化,DZ40M高温合金扩散型铝化物涂层在1050℃条件下氧化主要生成α-Al2O3保护膜,提高了DZ40M合金的抗氧化性能。经1050℃静态氧化150 h后,大量CoAl相转化为α-Co相,到500 h时CoAl涂层消失殆尽。     

SDS对溶菌酶溶液乳化作用的影响研究

本文研究了溶菌酶（Lysozyme）溶液中加入SDS8以后对正辛烷乳化作用的变化规律，结合FTIR的测定结果，从结构万面解释了蛋白质乳化作用变化的原因．     

水对某露天矿边坡的危害分析及治理措施研究

针对地表水和地下水对露天矿边坡的影响问题,结合某一露天矿进行讨论和分析。介绍了某露天矿山的工程地质和水文地质,分析了地表水和地下水对北部边坡的影响方式。利用UDEC离散元数值分析软件,模拟本露天矿北边坡在地表水和地下水的影响下,在整个开挖过程中岩体应力的变化及传播机制。提出了治理地表水和地下水的方法,为矿山的边坡治理提供了理论和实际操作的依据。     

光伏电站箱变色谱普测现状与问题分析

介绍光伏电站的充油箱变色谱普测情况,通过统计分析氢气、总烃等指标超标率及故障类型,从设备、施工、运维等方面进行原因分析,提出了增加出厂前局部放电试验、加强工艺施工控制、有针对性的检修等整改措施和预防策略,对此类箱变的运行维护有一定的借鉴意义。     

微波法合成高取代度羧甲基淀粉的研究

以玉米淀粉为原料，利用微波辐射制备了羧甲基淀粉钠。以取代度为目标，研究了反应物料配比、微波辐射时间、微波辐射强度等因素对反应的影响，确定了优化反应条件为：淀粉：一氯乙酸：氢氧化钠=1：1：2．4(摩尔比)，微波辐射时间11min，微波辐射强度：127．5W(以微波炉功率计)，分散介质乙醇用量为50ml，产物取代度可达0．8以上。