差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片

采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层;然后降低温度,在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题,并克服了其他方法的缺点．     

生成式人工智能教育应用的生态伦理与风险纾解

生成式人工智能在教育领域的创新应用引发了诸多伦理风险。本研究基于生态伦理视角，发现生成式人工智能教育应用的伦理风险主要体现为人机交互不当引发教育系统与技术系统间的伦理失序、教育主体素养不足制约教育可持续发展、责任厘定欠缺加剧合宜化补偿困境、技术标准不完善与人才缺口制约生态利益均衡博弈。据此，本研究从设计生成式智能教育系统的伦理规约准则、促进生成式智能教育高质量发展、架构生成式智能教育体系的责任监管机制、合理构建生成式智能教育利益共同体等方面提出相应伦理风险的纾解策略，以期实现生成式人工智能教育应用的和谐化推进。