硅材料的现况与展望

当今的世界进入了一个高度发展的信息社会时代,计算机技术广泛应用于国民经济的各个领域,大规模(LSI)及超大规模集成电路(VLSI:Very Large Scale Integration)的迅速发展,开创了一场新的技术革命.1987年初,国外已开发出16兆位动态随机存贮     

湖沼海链藻的光学镜及扫描电子显微镜研究

圆筛藻属(Coscinodiscus)及海链藻属(Thalassiosira)的电镜研究日趋增多,其中 G.R.Hasle,G.A.Fryxell 及 M.Brooks 等对圆筛藻属及海链藻属的微观结构研究要算目前在种类的形态分类研究中最为详尽细致的了。由于应用电镜技术圆筛藻属的许多种类都移入到海链藻属之中。而湖沼海链藻(Thalassiosira lacustris Grun.)为我国广泛分布的海链藻属中少数的淡水种类之一,     

几种淡水小环藻数值分类的初步研究

分类学曾经对于科学和生产的发展起过巨大的推动作用。硅藻分类学及区系学的研究,随着它在生物进化、地层学、生态学及环境科学等方面日益增长的作用而赋有新的意义。硅藻的新属、新种与日俱增,分类文献浩如烟海,因而准确的分类也日益耗时费力。如何精确、客观以及快捷的开展硅藻区系分类研究,方法的改进十分重要。在分类学研究中,既应保留传统的有效的原则,又应积极采用新的方法,如生化分     

用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分

对计算化合物晶体点缺陷的模型做了改进，在此基础上建立了一种精确测定GaMnAs中Mn组分的方法，并且在测定GaMnAs晶格参数的实验过程中，建立了一种消除X射线衍射仪零点漂移的方法，提高了测定晶格参数的精确度，采用该方法测试分析了离子束外延技术制备的GaMnAs单晶中Mn组分。     

C离子注入Si中Si1-xCx合金的形成及其稳定性

利用离子注入和高温退火的方法在Ｓｉ中生长了Ｃ含量为０．６％～１．０％的Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，研究了不同注入剂量下Ｓｉ１－ｘＣｘ合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Ｓｉ非晶化的剂量，８５０℃退火后，注入产生的损伤缺陷容易与Ｃ原子结合形成缺陷团簇，难于形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，随着注入Ｃ离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，容易形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，但注入的剂量增大到一定程度，Ｓｉ１－     

量子点的介电常数

基于量子点中的电子和空穴被限制在一定的空间尺度范围内做准周期的运动,提出量子点的介电常数与量子点的尺度相关,由此同出发,由可能在室温观察到弱缚类量子点的激子峰。通过对在室温测得的ＣｄＳｅ量子点的光荧发光谱的计算分析,证实了上述的观点。     

电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布

采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布, 所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致. 研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置, 并在GaSb中形成了浅受主能级.     

锑化铟的热处理

热处理是研究半导体性能的一种方法,对于Si~[1,2]、Ge~[3,4]、PbS~[5,6]已有比较广泛、深入的研究,但对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热处理研究是始于1959年Dixon等对P型InAs的研究,1960年注意中心由InAs转到GaAs,并进行了仔细的研究,对这两种材料一般认为铜是引起热处理效应的根源。关于InSb热处理研究,较全面的报导要算Hulme和Mullin的评述性文章,共做了二类实验:一类是真空中,500℃处理数小时,整个样品变为P型,发现P型载流子的增减是和石英管的纯度有关,并推论热转换是由石英中释放出来的快扩散杂质X造成,其扩散系数(500℃时)D_x>10~(-6)cm~2/     

硅藻小环藻属(Cyclotella)瓣面线纹计数方法的探讨

小环藻(Cyclotella)是硅藻中较常见的一属。个体形态细小,有些种类彼此差异细微,鉴定时颇为困难。传统的方法是以小环藻壳体的形状及瓣面花纹的不同结构进行分类。其中壳面边缘区每10微米的线纹数是一重要的分类依据。但在实际工作中,由于小环藻壳体直径很小,有的不足10微米,在度量时常有不同的结果。本文通过比较几种度量结果的异同,提出用数学计算克服传统度量误差并使之规范化的方法。     

太空生长半绝缘砷化镓单晶及其应用

在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善 ,均匀性提高 .与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比 ,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善 .以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底 ,采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 .证明半绝缘砷化镓单晶的化学配比对相关器件的性能影响严重 .