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为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案。该方案首先以半绝缘GaAs材料作为衬底,利用电子束蒸镀机在GaAs衬底上沉积Ni/Ge/Au/Ni/Au金属复合层作为光导开关电极,并对电极进行快速退火使其与GaAs衬底形成欧姆接触;然后,为了隔绝光导开关与外界环境,在GaAs衬底上沉积氮化硅作为钝化保护层;最后,通过在欧姆接触电极上外延场板的工艺,制备出电极间距为4 mm的异面GaAs光导开关。对所制备的GaAs光导开关的测试结果表明：在400℃退火条件下,电极的接触电阻率最低可达到0.019 5Ω·cm2;采用50Ω单脉冲形成线,在工作频率为1 kHz、偏置电压为22 kV时,光导开关的输出电压脉冲为10 kV,脉冲上升时间为亚ns量级。采用该制备方法制备的GaAs光导开关的成品率高达约98%,可稳定工作上万次。 相似文献
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本文给出了适用普通圆柱螺旋压缩弹簧国标和聚胺脂弹性国标所给参数的弹性元件设计方法.并提出弹性元件的预压力不小于卸料为,弹性元件最大压缩量不大于弹性元件的最大许可压缩量,应作为冲裁模卸料弹性元件设计时的两个限制指标. 相似文献
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在最小偏差法二维直线插补算法的精度不大于半个脉冲当量的基础上,首次采用解析法证明了最小偏差法三维直线插补精度,并用实例进行了验证.为三维直线插补算法的广泛应用奠定了理论基础. 相似文献
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