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1.
IGBT在控制脉冲大电流时,回路杂散电感中存在较高电流变化率所形成的纳秒高尖峰电压,从而产生过压损坏。通过分析3种类型(C型、RC型和RCD型)吸收电路的特点,采用RCD型和C型吸收电路的组合后,可以有效地使尖峰能量向脉冲后沿分散,使高压尖峰转化为低压震荡。最终可将IGBT在关断时的C-E极间电压控制在不超过母线电压的1/3,从而达到保护IGBT的目的。  相似文献   
2.
杨伟平  宗泽源  施芸城  汪华磊 《江西科学》2011,29(4):455-457,476
使用自行搭建的高压脉冲大电源,并且利用PLC的控制SCR触发装置产生微秒级单脉冲进行了弧光放电。在一定电压、一定气压、一定距离下,进行了薄膜制备,对薄膜进行了电镜分析和XRD分析。说明在合适的电压、气压和距离下,用该套设备可以制备出比较均匀、结晶性能比较好的薄膜。  相似文献   
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