半导体超晶格与微结构的发展模式浅析：纪念半导体超晶格与微结构？…

半导体超晶格与微结构是半导体科学技术发展史上的一颗璀璨明珠。它的确立与发展不仅对现代信息科学技术，而且对低维物理，材料科学和纳米技术的发展，都产生了重要而深远的影响。今天，在崭新的２１世纪来临之际，通过重温它的历史沿革和分析它的发展模式，进而揭示安的内在规律性，以此纪念半导体超晶格与微结构研究发展３０年。     

双重优化对基于P3HT:PCBM有机太阳能电池效率的提高

有效提高太阳能电池对光的吸收效率是提高太阳能电池能量转换效率的重要因素.在以poly(3-hexylthiophene)(P3HT)为电子给体材料,[6,6]-phenyl C60-butyric acid methyl eater(PCBM)为电子受体材料的有机太阳能电池中,Poly-(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)与活性层之间插入不同厚度的P3HT层,并在P3HT层最佳厚度的基础上,进一步在活性层中掺杂不同比例的Ag纳米粒子,双重优化了电池器件.当插入45 nm的P3HT层及掺杂质量比为5%的Ag纳米粒子时活性层薄膜的形貌及内部结构得到了改善,电池对光的吸收,及外量子效率得到了显著地提高,并出现红移现象.在25°C,光强为100 mW/cm2的条件下测量其短路电流密度JSC为11.21 mA/cm2,能量转化效率PCE为3.79%.     

AgBrI微晶上硫增感中心Ag2S分子团簇的陷阱效应分析

利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为, 获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间分辨谱信号. 分析了AgBrI T颗粒乳剂硫增感产物的陷阱效应与增感时间和增感温度的关系. 确定了硫增感产物的陷阱效应随增感时间和增感温度的变化趋势, 其变化顺序依次是空穴陷阱、浅电子陷阱和深电子陷阱.     

直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜

采用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术方法 ,在Si(100)衬底上制备了金刚石薄膜 ,并在此基础上合成了含有少量晶态颗粒的非晶氮化碳薄膜     

SiH_4分子的单脉冲激光光声光谱

本工作测得了在 926.96cm~(-1)～108844.72cm~(-1)波段 SiH_4分子与CO_2激光谱线对应的光声光谱,确定了SiH_4分子的最佳吸收线位置,还用光声谱法测得了声音的传播速度及V-T驰豫时间,验证了在小的光强时光声信号与光强的线性关系.     

电除尘器离子浓度的分布

在静电除尘器中,粒子的荷电模型已经确立,电场和其中的离子浓度影响着粉尘的运动、荷电和沉降.实验利用线板式电除尘模型的一个通道,改变施加在电晕极线的电压值和测量点的位置,利用离子浓度测试仪测量收尘极板处离子的浓度,并对离子浓度的分布进行研究,发现当电压升到25 kV以后,离子浓度上升趋势趋于平缓,离子浓度在1013 m-3的数量级.在相同的电压下,收尘极板上正对电晕线A点的离子浓度都是最大的,离子浓度随距A点距离的增大而减小.     

染料增感的碘溴化银照相材料的光电子特性

利用微波介电检测技术检测了在420～680 nm范围内曝光的由2种不同染料光谱增感的AgBrI样品的光电子行为.结果表明光电子强度与染料的反射吸收光谱符合得很好,微波介电检测技术可快速检测光谱增感过程中的光电子,从而可用于研究光谱增感中染料的特性.     

Grover量子算法与数据加密标准的安全性分析

讨论了现在流行的DES密码体系的安全机制,详细分析了如何用Grover量子搜索方法进行密钥穷举搜索的攻击.得出理论上Grover量子搜索法对DES的安全机制存在潜在的威胁.     

具有粗糙表面的氮化硅薄膜光热偏折谱分析

给出了一种分析表面粗糙度对氮化硅(SiNx)薄膜光热偏折谱(PDS)影响的简单方法.得出了光散射影响下,由PDS实验测得的薄膜的吸收系数与表面粗糙度的函数关系式.在此基础上,对PDS测得的具有纳米量级表面粗糙度的SiNx薄膜的吸收系数进行了修正,并进一步给出了不同薄膜厚度和表面粗糙度情况下,PDS测量结果的偏差.结果表明,在较低能量区域,PDS实验测得的薄膜吸收系数偏差较大,这种偏差不仅取决于薄膜的表面粗糙度,而且与薄膜的厚度相关,较大的表面粗糙度和较小的薄膜厚度将使其偏差显著增加;而在高能区域,这种偏差很小,可以忽略.     

朗谬尔单探针测量螺旋波等离子体参量

在国内首次引入了一种用朗谬尔单探针测量螺旋波等离子体参数的简单方法，并阐述了测量原理，对实验结果进行了初步的讨论．结果表明测量螺旋波等离子体参量的朗谬尔单探针法简单可行，是一种较好的测量手段。