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用深能级瞬态谱及光电容谱方法,研究了1.55μm近红外波段的Hg1-xCdxTe光伏探测器的深能级缺陷.结果表明,探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能级.它们可能来源于HgCdTe材料中的本征缺陷,例如Hg间隙缺陷Hg1及Te反位缺陷TeHg. 相似文献
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InGaAs/GaAs应变单量子阱的表面光伏谱 总被引:1,自引:0,他引:1
采用表面光伏谱方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱在不同温度下光伏效应.结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认,分析了量子阱内子能级间的跃迁能量、强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系 相似文献
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