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在紧束缚近似下,采用Green函数和Landauer-Büttiker公式计算了梯子型石墨烯纳米条带的电子输运性质。结果表明,随着阶梯数的增加,梯子型石墨烯纳米条带电导峰以0.0 eV为中心发生对称分裂,中心电导峰减小直至消失;随着阶梯间间隔变大,电导峰减小。通过数值计算,揭示了该新型石墨烯结构电子输运的物理机制,为基于石墨烯的新器件的设计和优化提供理论指导。 相似文献
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为获得具有较高复磁导率虚部的磁性材料并研究其微波物性,采用磁控溅射方法,制备Fe1-xBx磁性纳米膜,以Landau-Lifshitz-Gibert方程研究复磁导率虚部随纳米膜各向异性场、饱和磁化强度和阻尼系数的变化规律,采用谐振腔法开展点频测试。结果表明,测试数据与理论计算值吻合较好。结合Fe1-xBx样品的制备,分析了其磁导率虚部随制备工艺、组分、厚度等的变化规律,这对于获得高磁导率(虚部)的磁性纳米膜具有指导意义。 相似文献
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提出了一种新型的研究半导体低维系统的含时输运特性的数值模拟方法.基于紧束缚模型,直接在时域采用迭代法计算含时的非平衡格林函数(NEGF),求解出交流信号作用下的响应电流.将该方法应用于低维碳纳米管系统的交流输运性质的研究,并对载流子含时输运的物理机制进行了阐述.结果表明:在外加电压作用的瞬间,电流值突然变得很大,类似于传统CMOS器件的过冲效应.当输入电压为单个方波,随着时间的推移,电流呈现出平滑的逐步振荡衰减,最终趋于稳态.当输入电压为连续方波,响应电流的振荡幅度和频率随电压幅度的增加而增加.仿真结果有助于对低维材料电学特性的评估,并且为将来工作在交流信号下的低维纳米电子器件的设计和制作提供初步的理论依据. 相似文献
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基于Landau-Lifshitz方程和Maxwell方程组,我们探讨了垂直入射微波在面内单轴各向异性金属磁性三层膜中的传播性质.研究发现由于存在层间交换耦合作用,沿膜厚度方向不均匀的激发磁场显著影响铁磁层的磁导率,导致新颖的微波传播性质. 相似文献
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