透射干涉法测量蓝宝石上薄外延硅层的厚度

利用光波的透射干涉原理,提出了一个测量亚微米内蓝宝石上外延硅层厚度的方法,使用不同仪器,在各种波长范围内,对该方法同反射干涉测量法、扫描电镜断面直接测量法进行了比较.结果证明,透射干涉测量薄外延硅层厚度方便易行,精度与反射法相同.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.