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学科分类
自然科学
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2024年
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1
1.
V
2
NO
2
/TiSi
2
N
4
异质结界面性质调控的理论研究
冯继辰
马宁
牛丽
《高师理科学刊》
2024,(1):51-55
使用第一性原理计算研究了外加电场对V
2
NO
2
/TiSi
2
N
4
异质结构接触类型和肖特基势垒的调控．计算结果表明,外电场可以有效地调控V
2
NO
2
/TiSi
2
N
4
肖特基势垒的高度及其异质结的接触类型．正负向外电场均能实现V
2
NO
2
/TiSi
2
N
4
异质结构p型与n型肖特基接触之间的动态转化．此项工作为基于TiSi
2
N
4
半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管的应用提供理论基础．
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