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1.
在HL-2A装置工程调试中,边缘等离子体参数是通过磁力传动的朗缪尔四探针进行研究.朗缪尔四探针是安装在可以径向向里和向外移动长杆上,以及可以绕着快速往复移动系统和磁力传动杆的轴旋转3600.它是用于测量边缘电子温度和密度,极向电场以及等离子体的悬浮电位和空间电位。  相似文献   
2.
1. IntroductionThe international Thermonuclear ExperimentalReactor (ITER) is a tokalnak device with the cooperation of international thermonuclear circle. TheITER Expert Group pointed out [1], that a majorphysics issue is whether or not the fuel introducedon the plasma boundary can penetrate the SOL toreach the region of the core plasma. Pulsed supersonic molecular beam injection (SMBI) has success'fully been developed in the HL-IM tokamak in ant 4attempt to enhance the penetrating d…  相似文献   
3.
利用HL-1装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的TiC、SiC涂层和壁碳化。对辐照前后的样品进行俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM),X射线光电子谱(XPS)和X射线衍射谱(XDS)分析。结果表明,TiC和SiC材料应用于孔栏和壁涂层以及壁碳化有利于减少金属重杂质和氧杂质水平,提高了等离子体品质。  相似文献   
4.
本文介绍了在HL-1装置中首次进行器壁碳化的实验结果及其碳化对装置运行和等离子体性能的影响。  相似文献   
5.
H模的发现为当今托卡马克实验和优化下一代托卡马克设计提供了改善能量约束的途径,对L-H模转变的机理探讨,逐步从唯象学向自治理论发展。等离子体转动与L-H-VH模转变密切相关。实验观察到L-H模转变期间极向转动速度及其梯度的突然增加以及增加的速度剪切对抑制微观湍流的作用。而在VH模期间,环向转动速度剪切在Spinup时刻随能量约束增强因子迅速增加,剪切穿透深度达ρ=0.65。在高βH模放电中,在r/a=0.8~  相似文献   
6.
1.IntroductionInordertooptimizetokamakandachievehighperformanceplasmasuchashighcentraldensityandtemperature,goodcoreconfinementetc.,thesimultaneouscontroloftheedgeplasmaandcentraloneiscrucial.Therefore,themeasurementandcontroloftheedgeplajsmaparametersareverysignificanttocentralplasma.EdgeparameterssuchaStheedgedensity,temperatureandspacepotentialareusuallymeasuredbyusingLangmuirprobes.Duetotheprobemeasurementwithhightemporalandspa-tialresolution[1],itcanalsobeusedtoinvestigatetheirfluctuatio…  相似文献   
7.
利用HL-l装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的TiC、SiC涂层和壁碳化。对辐照前后的样品进行俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM),X射线光电子谱(XPS)和X射线衍射谱(XDS)分析。结果表明,TiC和SiC材料应用于孔栏和壁涂层以及壁碳化有利于减少金属重杂质和氧杂质水平,提高了等离子体品质。  相似文献   
8.
用钛吸气方法制备清洁表面净化环形反场箍缩(SWIP-RFP)装置内真空室以及原位壁碳化改善SWIP-RFP装置器壁状态,减少了该装置等离子体中的杂质水平,提高了等离子体性能。  相似文献   
9.
对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H_2O来源于器壁上受放电激活的零级表面化学反应,CO和CO_2为表面碰撞化学反应,CH_4则为表面多步骤合成化学反应。由置于等离子体刮离层中的硅收集探针的表面分析,表明Mo、Ni、Cr等为HL—1等离子体的中主要重杂质,来源于器壁表面的单极弧和和荷能粒子的碰撞溅射。设计了托卡马克中氢粒子流入射边界层中硅探针的蒙特卡罗模拟程序HISP。得到氢粒子流注入硅探针的特征深度Xm(nm)和其动力温度kT(eV)的关系式kT=50Xm-50,由此估算出入射硅探针表面的HL—1边界层等离子体动力温度约为55eV。由对收集探针的溅射AES剖面分析得出,HL—1高功率放电中在刮离层中总杂质通量的最大值可达8×10~(15)原子/厘米~2.秒,其中C、O、Mo、Ni和Cr分别占17.5%、34.8%、8.1%、8.5%和6.5%。最后提出了降低HL—1等离子体中杂质的建议。  相似文献   
10.
HL-1M装置边缘扰动和流速的实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用一组马赫探针研究HL-1M装置刮离层和边缘等离子体流在欧姆放电、壁硼化、偏压抽气孔栏、偏压电极、低混杂波电流驱动、电子回旋共振加热、弹丸注入、分子束注入、激光吹气和补充送气等情况下的平行流马赫数、离子饱和电流扰动、平行流速度剪切和极向流速度的分布。实验中发现局部等离子体电位快速变化,改变了电场分布,改变了边缘等离子体的流速和方向。从而改善了等离子体约束性能。  相似文献   
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