含氮直拉硅中氧沉淀及伴生缺陷的特征

氧沉淀吸杂工艺的应用使直拉硅中氧的沉淀及伴生缺陷的形成及其微观结构成为热门的研究课题。氮因有钉扎位错,增加硅片强度的作用而引起重视,并在实际应用中收到了良好的效果,本工作用TEM和HREM研究了氮在直拉硅中沉淀相及其伴生缺陷的特征,并和不含氮的样品进行了对比。所用材料为N型无位错直拉硅单晶,含5.5×10~(17)cn~(-3)的氧和8.4×10~(15)cm~(-3)的氮,经过450℃64小时+750℃223小时+1050℃3小时三步退火处理。IR分析表明此时样品中53％的氧和100％的氮已消失,样品减薄到3μm后,用Ar~+减薄成电镜试样,在JEM-200cx上进行TEM和HREM观察。     

影响Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的因素

本文就Ar~+激光辐照功率、衬底温度等因素对SOI结构再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响进行研究,利用高频和准静态C-V技术测量该界面氧化物固定电荷密度N_t和界面态陷阱密度N_(it),用平面和剖面TEM分析再结晶多晶硅膜的结构特性,我们发现当衬底温度为 320℃和420℃时存在一个功率窗口 6.0～6.2W.     

非晶态超晶格的XTEM研究

非晶态半导体超晶格一种新发展的材料。它一般由两种极薄的薄膜交替迭合而成,单个薄层的厚度从十几埃到数百埃。薄层的厚度、厚度的均匀性、界面的平整性等是对这种材料特性有重要影响的重要参数。XTEM—横断面TEM技术是测定这些参数的唯一方法。本文利用XTEM技术研究了数种不同的超晶格样品,如:aSi-aC,     

原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究

本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷化镓晶体中,当其电子浓度n≥3 ×10~(15)cm~(-3)时,微缺陷才出现.从微观完整性言,Si是GaAs的N型掺杂剂中较好的一种.     

基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型

基于定量原子像图像分析的ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面原子结构模型王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣（中科院金属所固体原子像实验室，沈阳１１００１５）（中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）由于ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体材料在半导体器件研制与生产中的...     

精确测定高分辨电子显微像中亮点位置的图像处理方法

本文提出了一些实用的高分辨原子像分割及定位方法。原子像分割由提取原子像的谷位网络实现。原子像亮点定位可由像素点灰度峰值检测法或局部像素点灰度平均法完成。这些方法都基于计算机图像处理技术在原子像分析中的应用。     

用HREM研究MBE生长GaAs／Si异质结的微孪晶

由于可以把Si集成电路和GaAs光电子器件集成在一块电路上的广阔应用前景,而使人们对si上异质外延GaAs产生了浓厚的兴趣,但si和GaAs的晶格常数和热膨胀系数失配,GaAs/Si产生高的位错密度和微孪晶,由于这个原因,很难获得高质量的外延层及用这种材料生产优质的光电子器件,为了减少缺陷,研究缺陷的性质及其成因是很有意义的。已有很多人对GaAs/Si的微孪晶进行了研究,如吴小京等做出了微孪晶的结构模型,谢强华等观察到微孪晶的不对称分布,而对微孪晶的的形成机理还未见报     

LPE Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结缺陷研究

本文用熔融KOH化学择优腐蚀,金相显微镜,扫描电镜阴极荧光研究了液相外延生长的Ga_(1-x)AlxAs/GaAs中位错的延伸和分布.观察到异质结Ga_(1-x)AlxAs/GaAs中位铅延伸和密度分布与界面成分值x有关.在一定x值范围内,观察到界面层中存在位错网络,这种位错网络对衬底位错向外延层延伸有抑制作用.在此x值范围内外延层是无位错的.用高压透射电镜观察位错网络的平面和剖面分布特征,并对网络形成机理进行了定性讨论.     

利用能量过滤成像技术对注氮SOI的研究

本文报道了利用能量过滤成像技术对注氮SOI结构的研究。能量选择狭缝分别置于△E=16eV和△E=25eV,对应于Si和Si_3N_4的等离子能量损失的非弹性散射,电子显微照片可以给出更多的结构信息。顶层单晶硅和上氮化硅层之间的过渡层可以明显地划分成两个亚层:氮化硅亚层和硅亚层。从衬底的〈111〉衍射束成的暗场像看出硅亚层的晶粒取向与顶层单晶硅的取向是不同的,这说明硅亚层中的硅晶粒的形成与长大与顶层单晶硅的形成无关。     

CMOS LSI电路失效分析的XTEM技术

集成电路工艺的迅速发展在一个芯片上已可以制作10~5以上的元件,即LSI和VLSI大规模和超大规模。集成度的提高使元件的最小尺度降到一微米以下,而栅氧化层仅数十个nm。对这种电路的分析,常用的SEM就无能为力,必须求助于TEM的更高的分辨率。而XTEM技术是研究这种具有多层复杂结构的强有力的工具。本文作