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| 影响Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的因素 | |
| 引用本文： | 黄信凡,鲍希茂,蒋锡平,文婧,褚一鸣.影响Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的因素[J].半导体学报,1986,7(6):612-616. |
| 作者姓名： | 黄信凡 鲍希茂 蒋锡平 文婧 褚一鸣 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 (黄信凡，鲍希茂，蒋锡平，文婧)，中国科学院半导体研究所(褚一鸣) |
| 摘 要： | 本文就Ar~+激光辐照功率、衬底温度等因素对SOI结构再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响进行研究,利用高频和准静态C-V技术测量该界面氧化物固定电荷密度N_t和界面态陷阱密度N_(it),用平面和剖面TEM分析再结晶多晶硅膜的结构特性,我们发现当衬底温度为 320℃和420℃时存在一个功率窗口 6.0～6.2W. |
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