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一、引言近年来,国内外发光二极管(LED)及其所用材料中深能级的检测和研究取得了不少成果。研究表明:某些深能级的存在所引起的载流子复合的“旁路”,是限制LED效率提高的一个重要因素。热激电流(TSC)是检测深能级,研究材料中杂质、缺陷的一种简便方法,[1—3,12]都曾用这种方法研究过GaAsP LED中的深能级。在LED生产中, 相似文献
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为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光. 相似文献
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前言近年来,对GaAs_(1-x)P_x材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管(LED)的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。 相似文献
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