Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体相结构和掺Mn影响的电镜研究

Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体多相同时存在,多至6相,均属四方晶系钙钛矿结构,其中(2223)(2212)相共生,其衍射谱给出c≈33A的假象.加Mn可以部分取代Tl,但增加Mn的含量将失去高温超导性.     

PED沉积Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜过程中影响超导电性因素分析

采用脉冲电子束沉积技术, 在SrTiO₃衬底上成功制备了高质量的Nd_1.85Ce_0.15CuO₄(NCCO)薄膜. 通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率, 获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品. 对样品R-T曲线进行分析, 得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律, 并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因. 通过与脉冲激光沉积技术类比, 定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系.     

尺寸效应对庞磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3输运性能的影响

采用脉冲电子束沉积技术在(100)取向单晶钛酸锶衬底上沉积出具有高取向的La_0.67Ca_0.33MnO₃薄膜, 并用电子束曝光技术获得不同宽度的微桥结构, 对这些微桥结构的输运性能进行了研究. 当微桥的宽度为2和1.5 μm时, 与大面积薄膜相比, 其金属绝缘体转变温度T_P变化不大. 当微桥的宽度为1 μm时, T_P降低约50 K. 当微桥宽度减小到500 nm以下, 没有观察到金属-绝缘体转变. 对不同宽度微桥的磁电阻曲线进行分析发现, 随着微桥宽度减小, 低场磁电阻也变 小, 高场磁电阻变化不大.     

四价离子M（M=Mn,Pr,Sn,Zr,Se,Te）掺杂对CeO_2氧化还原性能的影响

于考虑了Ce-4f电子之间强关联作用PBE＋U方案,采用第一性原理计算方法系统研究了掺杂Mn,Pr,Sn,Zr,Se和Te等对CeO2原子结构、电子结构和还原性能影响.针对形氧空位后掺杂离子对体系中电子转移影响,提出了两种不同制：对于Zr,Se和Te等掺杂CeO2,氧空位形能的降低主要是受到氧空位形后结构扭曲影响;而对于Mn,Pr和Sn等掺杂体系,氧空位形能受到结构扭曲和电子转移双重影响,因此,氧空位形后电子首先转移到掺杂离子上而不是通常的Ce4＋上.研究发现,当四价掺杂离子到电子后最外层电子全满或半满结构时,氧空位形时所产生的电子会优先转移到掺杂离子上.     

La2／3Ca1／3MnO3掺Bi的磁电阻行为

研究了Ｌａ（２－ｘ）Ｂｉｘ／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３体系的电阻行为和磁性转变，当ｘ＝０．０，０．２时，样品表现为铁磁转变，居里温度Ｔｃ分别为２６５Ｋ和２４５Ｋ，铁磁转变伴随着半导体－金属转变，对应于磁电阻效应的极大值；当ｘ＝０．４时，样品表现为复杂的磁性转变，样品的电阻率为半导体特性，对应的磁性转变没有半导体，金属转变发生，在ｘ＝０．４和０．６两个样品中，１Ｔ外场下８５Ｋ时获得大于８６％的巨磁电阻效应     

X射线粉末衍射法测定LaFe9Si4的晶体结构

采用ＬａＦｅ９Ｓｉ４的Ｘ射线粉末衍射数据，介绍利用Ｆｏｕｕｐｒｏｆ程序进行全谱拟合，撮独立的│Ｆｈｋｌ│数据，然后将获得的│Ｆｈｋｌ│数据输入标准的单晶结构分析程序ＳＨＥＬＸＳ－８６和ＳＨＬＥＸＳ－９３确定晶体结构的一般步骤。