集成电路的二次封装屏蔽硬X射线研究

在集成电路X射线剂量增强效应研究的基础上,提出对典型器件开展硬X射线二次封装屏蔽加固技术研究。首先用Monte Carlo方法进行了模拟计算。结果表明,针对硬X射线选用高Z材料作二次封装材料可以达到较好的屏蔽效果。根据计算的结果,在北京同步辐射装置上,利用已经建立的存储器测试系统,对采用不同厚度封装材料的二次封装集成电路SRAM 62256作了屏蔽效应实验,证实了采用二次封装屏蔽加固技术方法后,电路抗X射线的总剂量失效阈值提高了一个量级。建立的屏蔽加固方法对提高器件抗辐射能力具有重要意义。     

SGEMP表面电场电缆试验系统

本文在讨论ＳＧＥＭＰ表面电场对电缆屏蔽层的耦合以及屏蔽层上的电流通过转移导纳对芯线的耦合机制的基础上,介绍一种产生模拟ＳＧＥＭＰ表面电场信号的电容性耦合的实验装置,并给出一种常用电缆的初步实验结果。该系统可为弹,星上所用电缆提供耦合效应实验手段。     

低注量X射线中屏蔽电缆的系统电磁脉冲响应研究

介绍了在低注量X光条件下进行电缆的系统电磁脉冲实验研究的方法。将DPF低注量脉冲X光响应实验与实验室电流注入方法相结合,对典型实用电缆的系统电磁脉冲响应情况进行了实验研究,结果表明该方法对于电缆的研究是切实可行的,克服了由于缺乏高注量X光装置带来的困难。     

10 keV X射线在"加速实验"辐照中的优势

文章利用实验结果分析了54HC04的阀值电压在不同剂量率下随总剂量的变化关系，对若干种加速实验方法进行了比较，认为10 keV X射线源可以作为对MOS器件进行快速的加速实验性能测试的辐照源。从环境安全考虑，10 keV X射线源易于屏蔽，可以用于硅片级的参数测试，且花费远远小于封装后的器件在^60Co源上的性能测试，是一种可行的评估器件总剂量水平的手段。     

水利工程中大坝闸门的设计及应用

水利设施自古以来就是我国基础设施的重要组成部分,是解决我国民生问题的关键。古有大禹治水,精卫填海等神话故事来整治长江黄河等重要水域,治理水灾,造福百姓的生活并且维护社会的长治久安。改革开封以来,党中央和国家领导人在保持经济稳定发展的同时,更是把三农问题放到重要地位农村、农民、农业问题关乎国家的长治久安,关乎国家的兴旺和发达。众所周知,大坝在治理河流中发挥重要作用,尤其是后浮箱自动控制匣门技术更是在水利设施中具有普遍认可的调节作用,是现代水利工程不可或缺的一部分。本文把实际工作和知识理论结合起来,重点突出了匣门的原理,特点,组成结构等方面进行了详细的说明和介绍。     

COMS器件总剂量效应长线传输在线测试系统

主要介绍了长线在线测试系统在^60Co源辐场中的应用,实验中,解决了辐射场低能散射对小电流测量带来的影响问题,在线测量减少了移位测量中的操作繁琐及退火效应带来的差异。该系统具有操作简单、测量方便、测量数据可靠的特点。     

~(60)Coγ射线低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响

在60 Coγ射线辐射场中采用 Pb/ Al屏蔽和非屏蔽的方法 ,研究比较了低能散射对 CMOS器件电离辐射效应的影响。在理论计算基础上 ,设计了 Pb/ Al屏蔽盒。实验结果表明 ,低能散射占总电离辐射吸收剂量的 2 0 %左右 ,采用 Pb/ Al屏蔽盒可以消除低能散射的影响 ,能更可靠地进行微电子器件抗辐射加固水平的精确评估与对比 ;低能散射对 Kovar封装的器件产生剂量增强效应 ,剂量增强因子小于 2 .0     

双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟

首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法，用该方法测量了CMOS器件X射线的相对剂量增强因子RDEF（Relative Dose Enhancement Factor)，同时用Monte-Carlo粒子输运方法计算了实验条件下Al/Au/Si,Au/Al/Si 结果界面过渡区剂量分布，理论模拟与实验验证，符合较好。     

MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质

通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱为中性 ,使界面态陷阱将引起的阈值电压漂移 ;而对 PMOSFET,当费米能级临近价带 (P沟晶体管反型 )时 ,施主型界面态陷阱带正电荷 ,受主型界面态陷阱为中性 ,界面态陷阱将引起负的阈值电压漂移。理论模拟的转移特性与测试结果吻合。文中从器件工艺参数出发 ,初步建立了总剂量电离辐照模型 ,该模型对于评估器件总剂量加固水平提供了一种理论方法     

X射线对Kovar封装材料的剂量

用Monte-Carlo光子-电子耦合输运程序计算了真实半导体封装Kovar结构对不同能量X射线在硅中的剂量增强因子,并与内层不涂金的Kovar结构进行比较,计算了界面处两种结构进入硅的净电子数,结果证实了界面处产生的剂量增强主要来自界面处高Z材料二次电子的贡献,该计算方法和结果为研究射线剂量增强效应提供了一种可靠的理论评估手段。