氦离子注入掺铈铌酸锶钡晶体平面光波导和它的光折变性质

室温下用2.8MeV氦离子注入在掺铈铌酸锶钡晶体上形成了平面光波导。用棱镜耦合法观察到了波导的暗模。计算的折射率分布表明在离子注入产生的损伤层中晶体的折射率减小，其中正常折射率减小约3．42％，反常折射率减小为2．55％。由PIPR方法拟合的波导中的折射率分布与TRIM’96给出的注入离子的密度分布基本一致。两波耦合实验表明离子注入可以延长折射率光栅的擦除时间。     

THE PEKING UNIVERSITY MULTI—APPLICATION ION BEAM ANALYSIS SYSTEM

A multi-application ion beam analysis system and some research projects performed at this system are described. The lifetime of the RF ion source for He~- is discussed.     

国产CR-39记录高注量的He++和H+的蚀刻特性

研究了国产ＳＹ－１型ＣＲ－３９记录加速器加速的高注量的Ｈｅ＾＋＋和Ｈ＾＋的蚀刻特性,对辐照过程中靶室内的环境本底做了观察实验。结果表明,在靶室内直接照射束斑位置以及远至４０ｍｍ处仍能记录到与束斑处相同的离子,而且在高注量离子的束斑区蚀刻后几乎辨不出径迹。进行了刻度实验,给出了ＣＲ－３９记录不同能量的Ｈｅ＾＋＋和Ｈ＾＋的径迹直径响应蚀刻曲线,对高注量束斑区蚀刻后注入新离子的实验表明记录特性不改变。     

北京大学1.7MV串列加速器的维护与改进

本文介绍了一台进口的大型仪器设备近十年来在运行、维护的基础上，不断进行性能改进和功能扩展，使其达到了较佳的状态，在科研、教学中发挥了重要作用，并突破了引进时仅作为离子束分析的基本功能，而发展到目前有可能开展大量基础研究、高能注入以及MeV团簇离子与物质相互作用的研究。     

一个用于加速器时间分辨分析系统的纳秒高压脉冲装置

设计了一个纳秒高压脉冲装置，脉冲电压可达16kV，前沿上升时间为10ns，此装置已用于加速器时间分析系统，系统的物理分辨时间小于0．8％，时间半高宽为25ns。     

束流输运模拟机

本文介绍了北京大学研制的一台专用电子模拟计算机,主要用来设计和调试带电粒子束的输运系统。该机可以模拟带电粒子在四极透镜、偏转磁铁、高频加速腔、漂浮空间、以及某些静电透镜和等梯度加速管等传输元件中的运动。实践证明这种模拟机具有快速直观,人机联系好等优点,所以可在有关专业的科研设计和教学中广泛采用。     

Application of Combined α-RBS and PIXE Analysis Technology

An analysis technique combining RBS with PIXE technology by x-particles incident beam was constructedand applied to analyse light impurities in heavier substrates.It can run in measuring Rutherford backscatteringand X-ray spectra in random and channeling mode,simultaneously.Being used to analyse sulphur atoms im-planted into GaAs single crystals,this method is relatively simple and quick-operating.It is especially useful foranalysing light impurities in semiconductor compounds,optoelectronic and microwave materials.     

MeV原子团簇离子束的产生、鉴定及其与固体的作用

介绍了北京大学 2× 1.7MV串列静电加速器实验室开发能量为MeV/atom的原子团簇离子束的情况以及对这些团簇离子束的鉴定手段。应用这些团簇离子束 ,使团簇粒子离子能量损失中的邻近效应研究和团簇离子束在单晶硅中引起的辐照损伤研究等工作得到了开展