Experimental investigations of enhanced glow based on a pulsed hollow-cathode discharge

In this work, the pulsed hollow cathode discharges at low pressure argon with an axial magnetic field were studied. The results indicate that the pulsed discharge is operated in an enhanced glow(EG) mode. Under the same conditions, the discharge current of the pulsed discharge is two or three orders higher than that of the direct current discharge. The spatial and temporal evolution of the light emission shows that, the current fluctuation at the rising edge of the pulse plays an important role for the EG discharge of pulsed hollow cathode, which forms a high-density, highcurrent and long-distance plasma column outside the cavity.     

染色

0前言将“染色”定为科学,并使其发展的是以英国为首的欧洲。Vickerstaff编写的《PhysicalChemistryofDyeing(染色物理化学)》便是其研究精粹。解析纤维的化学结构,并将染色归结为“速度论(动力学)”和“平衡论(热力学)”的该著作,至今都属于名著,仍不觉得过时。而且该名著今后     

Fe－Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包理团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单晶形态。     

射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

低氢型焊条手弧焊熔滴过渡特点的探讨

引言近年来,人们对气体保护电弧焊熔滴过渡的研究较多,取得了不少成果。但对低氢型焊条的熔滴过渡研究较少,通常是把它看作短路时间相同的规律性的短路过渡,用单一的或是平均的概念来研究这种短路过渡过程。事实上,它是一定焊接条件下受人为等因素影响的熔滴大小不均、短路时间不一的一种随机过程,因此     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。