POLYMER DIODES MADE OF ION IMPLANTED POLYACETYLENE FILMS

Polyacetylene films were doped with FeCl3 and implanted with 30 k'eV K+ ions. Physical changes to the films were examined by a series of measurements, which include the four-probe test, infrared ray absorption and 2 MeV He+ particle elastic recoil dettection and Rutherford backscattering. The chemical dopants (Fe+++ and Cl-) were redistributed after the implantation and the different species (K+. Fe+++ and Cl-ions) formed p - n junctions at the implantation depths. The implanted films exhibited desirable Ⅰ-Ⅴ characteristics, with current densities as high as 600 mA/cm- at 3V and back - to - forward ratio of current over 300. The polymer diodes kept their behavior for over 60 days. Discussions on the results were given in detail.     

离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索

聚乙炔(CH)x是一种简单的共轭有机导电高分子材料。1975年日本白川首先用高浓度的Ti(OBu)_4-AlEt_3体系在-78℃下定向聚合得到了均匀的、具有高结晶度的顺式(CH)x薄膜。1977年白川与美国MacCDiarmid等合作,发现掺杂能改善(CH)x的导电性能。后来又发现掺入不同的杂质可使(CH)x显示n型或P型半导体的特性。聚乙炔薄膜具有物理上准一维金属膜型的一些特殊性质,因而引起物理学家的广泛兴趣。1980年美国Su、Schrieffer和Heeger提出了聚乙炔的孤立子(Soliton)导电模型,并用这种模型成功地阐述了一些实验现象。(CH)x的原料便宜,合成简单,具有广阔的应用前景。人们预期可以把聚乙炔应用于制备太阳能电池、蓄电池及塑料半导体器件等。     

~(147)Nd同位素稀释亚化学计量法测定聚乙炔中钕

钕是稀土催化剂法合成聚乙炔过程中所必需的成分,合成后,钕在聚乙炔中的剩余含量会影响聚合物的稳定性。本文介绍了用同位素稀释亚化学计量法测定聚乙炔中的钕,方法的灵敏度为0.05μg钕。     

薄层活化法测量机件的磨损

近代高速宇宙航行及大功率内燃机等的发展,对摩擦机件的性能、效率、可靠性及寿命提出了越来越严格的要求,摩擦磨损与腐蚀的研究越来越受到各国的重视,1973年及1977年分别在英国伦敦及西德杜塞多夫举行了第一、二届欧洲摩擦、磨损及润滑会议。目前,摩擦学已成为一门新兴的学科。     

表面活性剂对硅表面清洗效果的研究

本文叙述了用示踪法研究表面活性剂对硅片表面上金属元素的清洗效果.     

X射线荧光分析的α系数法校正

X射线荧光分析中对厚靶基体的吸收增强效应必需进行校正。α系数法是应用得很广泛的一种校正方法。本文在Lachance-Traill数学模型的基础上增加了待测元素对其自身的特征X射线荧光强度影响的校正项。 假定某样品的基体中含有N种元素,它们的含量及X射线的相对强度分别为C_1,C_2……C_N及R_1,R_2……R_N,其中第i种元素的含量可根据下列半经验公式计算     

同位素激发X荧光分析测定铜保持器的磨损

现我国纱厂用的纱锭轴承中的金属铜保持器有两种不同的生产工艺,为了解不同工艺生产的铜保持器在使用过程中的耐磨性能,采用同位素源激发X荧光分析法测定磨损后的轴承套内润滑油中铜的含量,来推断其耐磨性能。     

EFFECTS OF e—e INTERACTION ON LATTICE DISTORTIONS AND ELECTRONIC STRUCTURES OF ELECTRON OR HOLE DOPED C60

The Su-Schrieffer-Heeger Hamiltonian and the Hubbard Hamiltonian within the unrestricted Hartree-Fock scheme have been used to study the effects of e-e interaction on lattice distortions and electronic structures of C60^- C60^2-,C60^ ,C60^2 .When the interaction parameter increses from 0 to 3eV,the bond variables of the C60 molecules are altered slightly,but the polaron energy levels and the charge density distributions of the C60 molecules are modified seriously.     

EFFECTS OF e－e INTERACTION ON LATTICE DISTORTIONS AND ELECTRONIC STRUCTURES OF ELECTRON OR HOLE DOPEDC_(60)

ＥＦＦＥＣＴＳＯＦｅ－ｅＩＮＴＥＲＡＣＴＩＯＮＯＮＬＡＴＴＩＣＥＤＩＳＴＯＲＴＩＯＮＳＡＮＤＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳＯＦＥＬＥＣＴＲＯＮＯＲＨＯＬＥ　ＤＯＰＥＤＣ_(６０)ＣｕｉＹｕｎｌｏｎｇ（崔云龙）ａｎｄＬｉｎＳｅｎｈａｏ（林森浩）?..     

氘子活化法测定硅表面钠

1.前言 半导体硅片的清洗工艺是半导体器件生产中最关键的工艺之一。它对器件的特性及其可靠性有着决定的作用。至今为止,国内半导体器件生产工艺中几乎全部使用具有强烈腐蚀性的氧化剂或无机酸,如硝酸、硫酸、双氧水、盐酸等试剂。这些试剂因为具有强烈的腐蚀性,所以经常侵蚀设备,污染环境,损害工人的身体健康,而且这些试剂的价格也比较昂贵,因而也提高了器件的成本。