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1.
采用热模拟试验机研究了最高加热温度(峰值温度)和热输入量对2507双相不锈钢模拟焊接热影响区显微组织和冲击韧度的影响规律。结果表明:固定热输入量,随着峰值温度的升高,模拟焊接热影响区的铁素体含量增加,冲击韧度降低;固定峰值温度,随着热输入量的增加,模拟焊接热影响区的铁素体含量降低,冲击韧度增加。  相似文献   
2.
新型高性能透明导电氧化物薄膜(简称IBO)在加工过程中会产生大量的废料,另外,随着IBO的广泛应用,IBO废靶量也将与日俱增。采用真空蒸馏工艺分离提纯时,In与Bi的饱和蒸气压相近,较难获得满意的工艺参数。气-液平衡(VLE)相图可用于指导真空蒸馏实践,本文以配置的In-Bi合金为原料进行真空蒸馏实验,以获得In-Bi合金的VLE值,并采用MIVM预测In-Bi合金组元的活度及气液平衡数据,获得以下结论:在压力5~10 Pa、温度1 183 K、平衡时间3.17 h条件下,当残留物中In含量为80.80%时,挥发物中铋含量达到97.17%,表明采用真空蒸馏可分离In-Bi合金中的In和Bi;采用分子相互作用体积模型(MIVM)预测了In-Bi合金组元的活度,平均标准偏差分别为±0.013 9、±0.007,平均相对偏差分别为±11.216%、±11.452 1%,表明采用MIVM预测In-Bi合金组元的活度是可靠的;采用MIVM预测了In-Bi合金体系的VLE值,与实验值吻合,表明采用MIVM预测铟基合金体系的VLE值是可靠的,且适用于不同摩尔比下的铟基合金,可用于指导真空蒸馏分离铟基...  相似文献   
3.
通过对LZ50车轴钢边部增碳缺陷进行金相检验和扫描电镜检验,发现增碳处组织异常,全部为珠光体,伴随大量MnS和硅酸盐夹杂物。现场排查发现在保温帽和铸模之间有较大的缝隙,缝隙中残留有大量粉渣,而且使用的保护渣为高碳型保护渣。由此判断,浇铸过程中钢水与缝隙中的粉渣接触造成钢锭帽口线增碳,而且钢水中未被保护渣完全吸收的夹杂物也被捕捉残留在钢坯表面。  相似文献   
4.
用Gleeble-3800型热模拟试验机研究了不同加热温度和保温时间对GCr15钢奥氏体晶粒的长大影响,得到了描述GCr15钢奥氏体晶粒长大规律的数学模型;并将该模型写入Marc的子程序,利用大型商业有限元软件Marc模拟了加热保温过程中GCr15钢奥氏体晶粒的长大过程。结果表明:晶粒长大的模拟结果与试验结果基本吻合。  相似文献   
5.
GCr15钢奥氏体晶粒长大规律研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
利用Gleeble-3800型热模拟试验机研究不同加热温度和保温时间下GCr15钢的奥氏体晶粒长大规律.结果表明,奥氏体晶粒随加热温度的升高呈指数关系长大,随保温时间的延长近似呈抛物线关系长大,同时晶粒平均直径与保温时间的关系符合Beck方程,温度越高,晶粒生长指数越大.在已有模型的基础上.通过对试验数据进行非线性回归得到了描述GCr15钢奥氏体晶粒长大规律的数学模型.  相似文献   
6.
本文在试验研究的基础上,对比讨论了硅钢拉伸试样标距划法对伸长率的影响,提出了在实际情况下硅钢标距划法的最佳方案。  相似文献   
7.
采用真空蒸馏-籽晶定向凝固工艺制备6N及以上高纯铟,考察了蒸馏温度、凝固速度及凝固次数对杂质脱除率的影响,并对半导体用高纯铟进行了表面分析及其纯度测定。结果表明,真空蒸馏温度1 273 K、保温时间60 min、定向凝固温度150~170 ℃、籽晶转速5 r/min、坩埚转速15 r/min、凝固速度20 mm/h、凝固次数3次条件下,高纯铟产品纯度达到6N及以上超高纯铟标准,该工艺所得金属铟结晶度高,呈现出片状结构,金属呈单晶相,实现了6N及以上金属铟的稳定结晶,并且金属铟没有腐蚀和表面氧化,该半导体用高纯铟制备工艺所得产品纯度高、制备过程能耗低和效率高,利于实现产业化。  相似文献   
8.
16MnR中板冷弯分层开裂问题分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
在通常情况下,冷弯开裂时裂纹方向是沿垂直于弯曲弧方向延伸的。本文针对16MnR中板在冷弯时产生的裂纹方向近似平行于弯曲弧方向的现象,利用金相显微镜、电子显微镜和X射线能谱仪对其组织进行了针对性分析,并提出了相关观点。  相似文献   
9.
本文对热模拟试验机的基本组成和功能做了简单的介绍,针对该设备的具体应用进行了浅显的说明和分析。  相似文献   
10.
介绍了Gleeble-3800热模拟试验机运行一年来陆续出现的一些故障,及对故障的排查过程和解决方法。  相似文献   
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