连续型衍射透镜激光直写技术研究

研究了不同于台阶形式的具有连续浮雕结构的衍射聚光透镜的激光直写工艺,简要描述了光致抗蚀剂的曝光和显影,对激光直写工艺的机理和工艺过程进行阐述.利用CLWS-300W/C极坐标激光直写设备制作出了具有良好面形微结构和较高衍射效率的连续型衍射透镜.研究表明,激光直写技术直写精度高,加工工艺灵活,利用计算机的控制,能够根据光学设计产生的浮雕分布数据制作复杂的、任意形状和外形的微型浮雕结构,非常适合于高精度微光学元件的加工制作.     

短中波红外长线阵拼接集成滤光片技术研究

空间光谱成像技术的发展使得探测器阵列与分光元件的集成成为一种趋势,长线阵拼接集成滤光片是空间多光谱成像仪实现焦平面集成分光的关键器件,在我国空间多光谱成像光学系统中需求明显。设计了4通道短中波红外长线阵拼接集成滤光片,采用离子束辅助轰击的电子枪蒸发方法制备了各通道窄带滤光片,利用专门研制的工装探索了拼接工艺,研制出了短中波红外长线阵拼接集成滤光片。测试结果表明:集成滤光片各通道平均透射率达到90%,最小带宽为230 nm （中心波长为4.95 μm）,光谱性能与设计结果吻合,满足性能指标要求。最小拼缝宽度仅为10 μm,拼缝不平行误差为1 μm,集成滤光片设计结构和拼接强度能够耐受抗振性试验。该集成滤光片已经在空间光学遥感仪器上成功应用。     

光学薄膜参数测量方法研究

为了研准确性和效率更高的膜层光学薄膜参数测量方法,对优化膜系结构和改进制备工艺都有重要的指导作用.论文在研究传统测量方法基础上,将包络线法与全光谱拟合反演法相结合,提出了一种新型的光学薄膜参数测量方法.该方法将采用包络线法计算的单层膜光学薄膜参数近似值作为参考,设置全光谱拟合反演法优化搜索的上下限,结合适当的评价函数构建计算物理模型,并选用综合优化算法求解获得待测膜系各膜层的光学薄膜参数.最后设计TiO2、SiO2单层膜和膜系为:G|0.5HLHL0.5H|A(H-TiO2,L-SiO2)的多层膜进行测量验证,并分析了该测量方法的效率准确度、稳定性等.     

高能原电子下金属曲面二次电子发射的理论研究

从半经典定理出发,根据金属二次电子发射系数与入射角度的近似关系,分析了曲面的二次电子发射,推导出高能原电子入射情况下,两种常规金属曲面(圆柱曲面和球冠曲面)的二次电子发射系数,进一步得到任意曲面二次电子发射系数的求解思路,分析并讨论了结果.     

Ag-SiO2复合纳米颗粒薄膜的制备及其光学特性研究

利用溶胶一凝胶法在玻璃基底上成功制备了Ag—SiO2复合纳米颗粒薄膜,SEM、TEM和XRD的表征分析表明Ag是以单晶纳米颗粒的形态均匀分散在SiO2基质中,形成了多孔状Ag—SiO2复合纳米颗粒薄膜。从Ag—SiO2复合纳米颗粒薄膜的光吸收谱发现,该复合薄膜中鲰纳米颗粒具有较强的等离子共振吸收峰,峰位在430nm附近,随着复合薄膜中Ag、Si摩尔比的逐渐增大,等离子共振吸收峰不断增强且发生蓝移,蓝移量可达30nm;研究Ag—SiO2复合纳米颗粒薄膜的光敛发光特性发现,当激发波长为220nm时,复合薄膜分别在330nm和375nm处出现了两个发光带,随着复合薄膜中Ag、Si摩尔比增大到0．11,两发光带均逐渐增强,继续增加Ag、Si摩尔比,两发光带又逐渐减弱,且375nm处的发光带变化尤为显著。     

电子束蒸发TiO_2膜通氧量对薄膜光学性能的影响

研究了不同通氧量对电子束蒸发沉积二氧化钛薄膜的光学性能影响。随着氧气流量从37.4×10-3Pa·m3·s-1增加到61.2×10-3Pa·m3·s-1,真空室的真空度从1.4×10-3Pa变化到2.5×10-3Pa,可以得到不同光学性能的二氧化钛薄膜。采用分光光度计测试其光谱,结果发现Ti O2薄膜的透射率峰值随着真空度降低而增大,折射率和消光系数随真空度降低先升高后降低。在真空度2.0×10-3Pa的工艺条件下,成膜质量最优,透射率为92%,折射率在2.50~2.20之间,消光系数在10-4以下。根据Cauchy方程拟合其色散规律,拟合曲线和采用包络法计算得到的曲线较好重合,折射率随波长的变化公式为n(λ)=2.17+6.12×104/λ2+2.98×108/λ4。     

空间菲涅耳透镜的材料与工艺要求分析

该文根据空间菲涅耳聚光透镜的使用要求和空间环境条件，比较了现有光学材料的性能特点，分析了材料折射率、透镜尖劈尺寸和面形误差对透镜光学的影响，进而对透镜成型和安装工艺提出了要求。     

膜层的光学薄膜参数测量方法研究

简述了研究膜层光学薄膜参数测量方法的必要性。详细介绍了各种测量方法的理论思想、测量准确度、测量范围。综合比较了各种测量方法的优缺点和适用性,研究了测量不同类型薄膜系统膜层光学薄膜参数的最佳测量方法。最后总结了膜层光学薄膜参数测量方法的发展,并提出了建议。     

离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响

在硅基底上用电子束蒸发方法制备了硫化锌薄膜.通过XRD和薄膜应力测试仪研究了离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响规律.结果表明,未采用离子辅助技术制备的硫化锌薄膜为压应力,平均应力值为110.6 MPa,当采用离子束辅助工艺时硫化锌薄膜的压应力增加了62.3MPa.真空退火使硫化锌薄膜的平均应力大约降低了二分之一.硫化锌薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素.     

离子束轰击对电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力的影响

在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜.通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律.结果表明沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm·s-1时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa.用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力.二氧化钛薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素.