ZnSe的MOVPE生长相图：以DMZn和H_2Se为源

本文基于热力学平衡计算，首次给出以ＤＭＺｎ和Ｈ２Ｓｅ为源，ＭＯＶＰＥ生长ＺｎＳｅ的相图．文中讨论了ＺｎＳｅ单一凝聚相区的范围，以及可能出现ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｚｎ（ｓ）或ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｓｅ（ｌ）两种双凝聚相区的条件．     

MOCVD生长的Ⅱ－Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析2．Hg_（1－x）Cd_xTe体系

本文对ＭＯＣＶＤ生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ进行了热力学分析．所用的起始原材料为Ｈｇ、ＤＭ－Ｃｄ和Ｒ２Ｔｅ．计算结果一方面表明ＣｄＴｅ优先并入倾向使得在通常的ＤＡＧ工艺中ｘ值非常不易控制．另一方面表明即使在Ｈｇ存在的情况下，也可以沉积几乎纯的ＣｄＴｅ，这对实现ＩＭＰ工艺非常有利，计算结果还表明ＩＩ／ＶＩ比对ＨｇＣｄＴｅ的组分控制起着关键性的作用．在ＤＡＧ工艺中，较低的ＩＩ／ＶＩ比可以改善对ｘ值的控制能力，ＬＭＰ－ＤＡＧ工艺是降低ＩＩ／ＶＩ比的较好途径．本文还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及ＬＭＰ     

电流注入块状GaAs和GaAs膜近红外光学常数变化实验研究

电流注入块状ＧａＡｓ和ＧａＡｓ膜近红外光学常数变化实验研究王德煌，王威礼（北京大学物理系，集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１００８７１）庄婉如，段树坤（北京集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１０００８３）ＧａＡｓ是半导体光电...     

In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH化学腐蚀腔面激光器

用两相液相外延法生长 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH外延片,以 AZ1350i胶模掩蔽,在(001)DH片上,用Br_2:HBr:H_2O=1:25:50作腐蚀剂,沿<110>方向刻槽,研制成两种发射波长为1.35μm In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP化学腐蚀腔面激光器.单面化学腐蚀腔面激光器的阈电流密度与常规解理腔面器件相比,未见增高.而双面化学腐蚀腔面激光器则有较高的阈电流密度.     

半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析

运用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）对金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的（０００１）ＧａＮ／（１１１）ＭｇＡｌ２Ｏ４异质结构中的缓冲层进行了观察和分析，发现在该衬底上最初的低温沉积是一厚度为５ｎｍ的六方相岛状界面薄层     

Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN

Group - nitrides are very importantmaterials,which are applied to the fabrication ofgreen,blue and ultraviolet light emitting diodes(L EDs) and laser diodes(L Ds) [1 ] .Inx Al1 - xN alloy is a kind of promising material for Ga N- based...     

MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的准热力学模型

提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH3为源,用MOVPE方法生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型.该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的,其特点是考虑了NH3的分解效率,并用N、H、Ga、Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程.计算了各种生长条件对于与GaN晶格匹配的GaxAlyIn1-x-yN四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响.计算表明,几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到GaxAlyIn1-x-yN四元合金中,而In则富集在气相.为增强铟的并入,应采用低的生长温度,高的Ⅴ/Ⅲ比,氮载气而且须要设法降低到达生长界面前氨的分解.     

生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究

在室温下测量了用ＭＯＶＰＥ方法生长在尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）衬底上的ＧａＮ外延层的一阶喇曼光谱．应用各种背散射和９０°散射配置，测得了除低频Ｅ２模外所有ＧａＮ的喇曼活性光学声子模．并且在Ｘ（Ｚ，Ｘ）Ｚ和Ｘ（Ｙ，Ｙ）Ｚ配置下观测到了由Ａ１和Ｅ２模混合形成的准ＴＯ和准ＬＯ模．所得结果与群论选择定则预计的一致     

LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料

本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.     

Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAIN

A quasi-thermodynamic model of MOVPE growth of InxAl1-xN alloy with TMAl,TMIn and ammonia as sources has been proposed. In this improved model,the effect of low decomposition rate of ammonia has been considered and the number of moles is used to express the mass conservation constraints of element N,H,Al and In. It is assumed that the alloy is synthesized by the reactions between ammonia and group Ⅲ elements. The results show that it is more difficult to grow the InxAl1-xN alloy,especially for the InxAl1-xN lattice matched the GaN. In order to enhance the incorporation of indium into InA1N,we should use the lower growth temperature,optimized input Ⅴ/Ⅲ ratio and high nitrogen fraction in the carrier gas. In addition,the decomposed fraction of ammonia should be reduced. Indium droplets would be deposited if the growth conditions have not been selected properly.