Si基n型GaN的欧姆接触研究

GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线，X射线衍射以及二次离子质谱分析，揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响，提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。     

基于π型RLC模型估计电源树同步切换噪声

深亚微米工艺下，高密度器件的高频同步切换噪声可严重影响超大规模集成电路(very large scale inte—grated circuit，VLSI)的可靠性和信号完整性，基于一类VLSI电源树(power supply tree，PST)的分段“型RLC模型，利用切换事件驱动机制、节点和参数重组建立切换电流规整传播路径，并以二极点模型近似切换电流传递过程，实现电源树同步切换噪声(simultaneous switching noise，SSN)估计，仿真表明，该方法可加速同步切换噪声模拟过程，提高效率，并保持较高模拟精度。     

一个提高CMOS图像传感器的动态范围的算法

文章提出了一种新的提高CIOS图像传感器动态范围的算法。这种算法在每个传感器像素的积分期间，以时间间隔的指数方式进行采样，比较采样值和参考电压，若采样值小于参考电压，则将采样值输出。采用这种算法．当在每个积分周期采样N次时，最大可以提高CIOS图像传感器的动态范围2^N-1倍。     

基于0.6 μm工艺的流水线模数转换器设计

为了实现10位高性能和低功耗的流水线模拟数字转换器ADC，提出了基于0.6微米互补型金属氧化物半导体(CMOS)混合信号工艺的电路设计方法.在信号输入端设置了采样保持放大器(SHA)，级电路中采用了低功耗运算跨导放大器(OTA)和动态比较器，并且使用了采样电容优化技术和数字校正技术.测试结果表明，在20 MHz采样率和5 MHz输入信号频率条件下，由该方法设计的ADC可以达到58 dB的信号噪声失调比(SNDR)，相当于9.38个有效位数(ENOB)，并且在5 V供电电压下的功耗仅为49 mW，达到了高SNDR性能、高线性度和低功耗的设计要求.     

一种有效的八位MCU桶形移位器 BIST 电路

针对8位微控制器（MCU）数据通道中桶形移位器的可测试性问题，提出了一种新颖的确定性内置自测试（BIST）电路设计方案，并对其进行了验证。该方案采用5个D触发器，在16个测试时钟周期内产生16个测试矢量，可完成对8位桶形移位器100％故障覆盖率测试。本论文的电路设计方案也可应用于一般2^N位（N≥4）桶形移位器的可测试设计。     

高增益四级运放频率补偿技术

为改善四级运放不易稳定和单位增益带宽较窄的特性,提出一种新的四级运放频率补偿技术.采用多路嵌套式密勒补偿技术,实现左半平面零点和右半平面零点分离,并通过额外增加一条前馈通路产生左半平面零点,抵消了一个极点,简化了四级运放的频率补偿问题.通过将次极点向高频的推移以及次极点和单位增益带宽比例大小的合理设计,不仅保证了运放的稳定,同时增大了运放的单位增益带宽.经台积电(TSMC)0.25μm互补金属氧化物半导体(CMOS)混合信号工艺仿真和流片测试结果显示,该四级运放仅消耗0.842mW功耗,0.150mm2的芯片面积,在3.6V电源电压下具有60.15°的相位裕度,2.42MHz的单位增益带宽,大于150dB的直流增益.     

反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究

在氧气和氩气的混合气体中，在没有额外加热的条件下用反应射频（RF）溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a-SiO     

基于核的信息安全处理芯片可测性设计

从可测性设计角度讨论了信息安全处理芯片的芯片级测试控制器的设计以及相应核的可测性设计.综合结果显示,所设计的芯片级测试控制器所占用的面积代价非常小.     

基于SOI工艺的高压LED驱动设计

为了解决LED驱动芯片因耐压低而在高压领域应用受限制的问题,将绝缘体上硅（SOI）技术应用到LED驱动的设计中,设计了一款基于SOI工艺的高压LED驱动芯片。首先提出了该驱动的系统框图,并介绍了其工作原理,然后对各重要模块进行了详细的介绍。该LED驱动输入电压范围为40 V～625 V,采用峰值电流模式控制,并提供线性与脉宽调制（PWM）两种调光方式,根据不同应用,外接的LED灯可达十几至上百个不等。采用XFAB 1μm SOI工艺,并使用Cadence的Spectre系列软件进行了仿真。仿真与测试结果验证了该驱动的良好性能。该设计对基于SOI工艺的高压电源管理芯片的设计具有指导意义。     

一种用于流水线A/D转换器的低功耗采样/保持电路

文章介绍了一种适用于10位20MS／s流水线A／D转换器的采样／保持（S／H）电路。该电路为开关电容结构，以0．6μm DPDM CMOS工艺实现。采用差分信号输入结构，降低对共模噪声的敏感度，共模反馈电路的设计稳定了共模输出，以达到高精度。该S／H电路采用低功耗运算跨导放大器（OTA），在5V电源电压下，功耗仅为5mW。基于该S／H电路的流水线A／D转换器在20MHz采样率下，信噪比（SNR）为58dB，功耗为49mW。